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高纯致密氧化镁靶材及其制备方法

668   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 14:58:01
本发明属于新材料制造及应用技术领域,具体涉及一种高纯致密氧化镁靶材及其制备方法。本发明对行星球磨的氧化镁粉末进行冷等静压成型后真空烧结,得到近净成形高纯致密氧化镁靶材。其中,真空烧结温度为1400~1550℃,保温时间为2~10h,真空度为0.1~1.0Pa。该法制备的高纯致密氧化镁靶材的致密度为98.36%以上,杂质元素总含量为100ppm以下,平均晶粒尺寸为7μm以下,尺寸偏差为3.0μm以下,表面粗糙度Ra低于0.4μm。本发明制备的氧化镁靶材纯度和致密度高、晶粒细小均匀,本发明制备方法生产周期短、生产成本低、生产效率高、可批量生产。
声明:
“高纯致密氧化镁靶材及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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