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制备高比表面积SiC纳米微球的方法

656   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-18 14:58:01
一种制备高比表面积SiC纳米微球的方法，将碳微球与二氧化硅微球混合均匀，得到混合粉末；其中碳微球粒径为200～400nm，与二氧化硅微球的粒径为100～200nm；将混合粉末放入真空烧结炉中，将真空烧结炉抽真空后通入氩气，并在氩气保护下自室温升温至1200℃时将真空烧结炉抽真空，然后继续升温至1300℃～1500℃，在1300℃～1500℃下烧结，得到产物；将产物在400-600℃下煅烧，得到高比表面积SiC纳米微球。本发明操作简单，成本低廉，可重复性好，有利于工业化生产。本发明所制得的SiC纳米微球的粒度均匀，纯度高，直径在200～500nm范围内可控，比表面积可以达到25～60m2/g。
声明：
“制备高比表面积SiC纳米微球的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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