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制备高比表面积SiC纳米微球的方法

642   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 14:58:01
一种制备高比表面积SiC纳米微球的方法,将碳微球与二氧化硅微球混合均匀,得到混合粉末;其中碳微球粒径为200~400nm,与二氧化硅微球的粒径为100~200nm;将混合粉末放入真空烧结炉中,将真空烧结炉抽真空后通入氩气,并在氩气保护下自室温升温至1200℃时将真空烧结炉抽真空,然后继续升温至1300℃~1500℃,在1300℃~1500℃下烧结,得到产物;将产物在400-600℃下煅烧,得到高比表面积SiC纳米微球。本发明操作简单,成本低廉,可重复性好,有利于工业化生产。本发明所制得的SiC纳米微球的粒度均匀,纯度高,直径在200~500nm范围内可控,比表面积可以达到25~60m2/g。
声明:
“制备高比表面积SiC纳米微球的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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