本发明公开了一种溅射靶材用大单重宽幅钼板带的轧制方法,包括1)取
粉末冶金烧结钼板坯,加热至1485~1495℃,以48~52m/min的轧制速度进行二火次六道次热轧得钼板A;2)取钼板A,以38~42m/min的轧制速度进行三道次冷轧,退火得钼板B;3)取钼板B加热至845~855℃,以90~100m/min的轧制速度进行轧制,后进行平整,即得。本发明的轧制方法,所得钼板带成品规格较大,纯度高,密度大,晶粒间隙小,致密度均匀,平均晶粒尺寸小,各向异性小晶粒均匀,表面平直度高,具有优异的表面质量和使用性能,满足了大型化和高精细化LCD面板制造用溅射钼靶材对规格和使用性能的要求,适合推广应用。
声明:
“溅射靶材用大单重宽幅钼板带的轧制方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)