本发明揭示了一种内嵌浮空N+区的LIGBT型ESD防护器件,ESD防护器件包括硅衬底,在硅衬底上设有埋氧层,埋氧层上设有漂移区,漂移区的左上方为漏极区,右上方为源极区;漂移区内中间引入浮空N+电荷区,在N‑buffer区中为漏极重掺杂P+区;在P‑body区中为源极重掺杂N+区,重掺杂P+区。本发明可解决现有技术中普遍存在的触发电压过高、维持电压过低、抗闩锁能力不足的技术问题,设计了一种内嵌浮空N+区的LIGBT型ESD防护器件,由于浮空重掺杂N+电荷区的存在,触发时器件击穿结P‑body/N‑epi结冶金结处电场分布得到调制,更易发生雪崩击穿,因此降低了触发电压。
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