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高强度氮化硅陶瓷的低温制备方法

802   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 14:50:16
本发明涉及一种高强度氮化硅陶瓷的低温制备方法。其是以低熔点的Mg2Si作为烧结助剂,采用等离子活化烧结工艺,在氮气气氛中,1400~1500℃温度下烧结成氮化硅陶瓷。本方法所制备的氮化硅陶瓷致密度高于97%,抗弯强度644~1056MPa。本发明工艺简单,原料价格低廉,制备出的氮化硅陶瓷材料致密、抗弯强度高,在导热陶瓷基板以及冶金、化工领域中具有广阔的应用前景。
声明:
“高强度氮化硅陶瓷的低温制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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