本发明涉及一种高强度氮化硅陶瓷的低温制备方法。其是以低熔点的Mg
2Si作为烧结助剂,采用等离子活化烧结工艺,在氮气气氛中,1400~1500℃温度下烧结成氮化硅陶瓷。本方法所制备的氮化硅陶瓷致密度高于97%,抗弯强度644~1056MPa。本发明工艺简单,原料价格低廉,制备出的氮化硅陶瓷材料致密、抗弯强度高,在导热陶瓷基板以及冶金、化工领域中具有广阔的应用前景。
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