本发明属于覆晶封装技术领域,尤其涉及一种电铸成型于半导体晶片的引脚的电铸晶圆凸块,包括IC脚垫和电铸成型于IC脚垫上的锡铅凸块;所述的锡铅凸块为多个,厚度为0.02~0.2mm,锡铅凸块为100~200个,凸块间距为100~200μm;锡铅凸块由外而内分为锡铅球本体和球下冶金层;锡铅球本体为倒置的球形,材料为锡铅合金,锡铅球本体的高度为50~80μm。本发明具有的有益效果为:晶圆凸块采用锡铅合金材料,制造成本较低;采用电铸的方法生成晶圆凸块,生产效率高,凸块间距较稳定地控制于150μm以下,精度高,能获得质量稳定的电铸晶圆凸块。
声明:
“电铸晶圆凸块” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)