本发明公开一种用于制造太阳能级硅的生产工艺,步骤如下:选择纯度在98~99.5%以上的冶金级金属硅,硼元素含量<50ppm,磷元素含量<100ppm;高温液态萃取硅液中的硼、磷;硅液凝固;破碎研磨;表面浸蚀;水洗干燥;高温等离子除硼;高温真空精炼去磷、铝和钙;单向凝固;后处理。本发明获得的
多晶硅锭,硼<0.06ppm,磷<0.01ppm,总金属含量<0.01ppm,电阻率>1.0Ω·cm,直接切片用于制造
太阳能电池片,可以获得15%以上的光电转换效率;直拉单晶后切片用于制造太阳能
电池片,可以获得16%以上的光电转换效率;经过区域熔融法拉单晶后切片用于制造太阳能电池片,可以获得17%以上的光电转换效率。
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