本发明属于高温难熔金属靶材制备领域,具体涉及一种钼合金溅射靶材的制备工艺,本发明采用
粉末冶金方法制备,靶材所用原料包含合计原子百分比0.5%‑‑40%的Ga、Ni、Nd元素组中的至少一种元素和原子比0.5%‑‑40%的Ti作为掺杂金属,余量为Mo和不可避免的杂质;本发明经过原料配比、原料混合、胶套装粉定型、冷等静压作业、热等静压作业、热轧作业和机加工作业,得到最终所需产品尺寸;本发明工艺步骤简单,操作便捷,制备的钼合金溅射靶材耐氧化性、耐湿性、与PR胶的粘合力等各项技术指标优秀,可满足高端电子产品镀膜领域使用需求,且生产成本低,产品尺寸宽泛,便于工业化批量生产。
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