本发明涉及一种用于制造
光伏电池的硅衬底的处理方法,所述方法防止所述
光伏电池在光照期间产率的下降。本发明还涉及一种由所述处理的衬底制造光伏电池的方法。为了所述目的,本发明涉及一种用于制造光伏电池的硅衬底的处理方法,所述方法包括以下步骤:a)提供由冶金法提纯的负载获得的硅衬底;b)通过将所述硅衬底加热到880℃至930℃的温度持续1小时至4小时的时间,优选地加热到900℃±约10℃的温度持续2小时±约10分钟的时间,退火处理所述硅衬底。
声明:
“制造光伏电池的硅衬底的热处理方法及光伏电池制造方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)