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控制由补偿硅原料制成的硅锭中电阻率的方法和系统

665   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 14:45:03
本发明公开了一种用于控制从补偿硅原料形成硅锭过程中的电阻率的方法,本方法配制一用于熔融形成硅熔液的提纯的冶金补偿硅。提纯的冶金补偿硅原料提供一P型占大多数的半导体,本方法估算提纯的冶金补偿硅原料中硼和磷的浓度并加入预定数量的铝或/和镓;本方法进一步将硅原料与预定数量的铝或/和镓熔化来形成一熔融的硅熔液,进行定向凝固;并且,通过加入铝或/和镓来维持该硅锭的电阻率在其整个锭体中具有一致性。在各硅锭中硅原料引起低电阻率的情况下(通常是在0.4Ωcm以下),磷的差额可以随意加入至铝或/和镓中。在低电阻率(通常接近0.2Ωcm或稍低)时,加入磷是必须的。
声明:
“控制由补偿硅原料制成的硅锭中电阻率的方法和系统” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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