本发明涉及一种对含碳和/或含碳化合物杂质的冶金硅进行分级的方法。所述方法包括以下步骤:a)确定在高达700℃的温度下与氧反应的自由碳比例,b)为用于生产氯
硅烷的方法分配所述自由碳比例≤150ppmw的冶金硅和/或为用于生产甲基氯硅烷的方法分配所述自由碳比例>150ppmw的冶金硅。本发明进一步涉及具有高达2500ppmw的总碳含量的冶金硅用于生产氯硅烷的用途。
声明:
“对冶金硅进行分级的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)