本发明涉及一种微波等离子体辅助的
多晶硅提纯方法,将硅料放置于真空中频感应炉的
石墨坩埚后,将炉体抽真空至压力≤1Pa;开启中频电源,以10~100℃/min的速率升温至1500~1650℃,加热直至硅料完全熔化;开启微波源,通入反应气体,进行反应熔炼;熔炼结束后,进行浇铸,得到纯度>99.999%的高纯多晶硅。本发明结合了真空中频精炼和微波等离子体反应加热进行除杂,反应条件温和,提纯效果明显,降低了能耗,有利于工业化生产。
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