CVD 管式炉
简介
带真空站的分体式 CVD 管式炉是一款多功能、高性能的实验室设备，专为化学气相沉积 (CVD) 应用而设计。它采用分体式炉腔，便于接触反应样品和快速冷却。炉管由高温石英制成，直径为 60 毫米。该系统包括一个 4 通道 MFC 质量流量计，配有 CH4、H2、O2 和 N2 源气体，可对气体流速进行精确控制。真空站采用 4L/S 旋片
真空泵，最大真空压力为 10 Pa。带真空站的分室 CVD 管式炉具有先进的功能和性能，是材料科学、半导体加工和其他领域各种研发应用的理想选择。
应用
带真空泵站的分室式 CVD 管式炉 CVD 设备是一种多功能的先进设备，可用于材料科学、半导体制造和研发领域的各种应用。该设备特别适用于需要精确控制温度、气流和真空度的工艺，是进行高质量材料合成和加工的重要工具。
纳米材料合成：该炉非常适合纳米线、纳米薄膜和其他纳米结构材料的生长，这些材料对先进电子和光电设备的开发至关重要。
真空镀膜：它广泛用于在各种基底上沉积薄膜，包括金属膜、陶瓷膜和复合膜，这些薄膜对于增强材料在光学和电子学等应用中的性能至关重要。
电池材料加工：该炉适用于电池材料的干燥和烧结，这是生产高性能电池的关键步骤。
材料干燥和烧结：用于陶瓷、耐火材料和特种材料的高温烧结，确保这些材料的固结和致密化。
气氛和真空热处理：立式管式炉的结构允许对小型钢件进行淬火、退火和回火处理，以及立式 CVD 涂层，使其成为冶金工艺中的宝贵资产。
研发：它广泛应用于大学、研究所和工矿企业，用于进行高温实验、气氛烧结、还原气氛和 CVD/CVI 实验，为材料科学和技术的进步做出贡献。
特点
带真空站 CVD 设备的分室 CVD 管式炉是专为先进的化学气相沉积（CVD）工艺而设计的精密设备。该炉集成了尖端技术，可提高薄膜沉积的效率和质量，是研究和工业应用的理想之选。以下是其主要特点和优势：
高薄膜沉积率：利用射频辉光技术，该炉可显著提高薄膜沉积速率，最高可达 10Å/S。这种快速沉积对于高通量生产和研究至关重要，可节省时间并提高生产率。
大面积均匀性：该炉采用先进的多点射频进料技术和专门的气路分布，可确保高达 8% 的薄膜均匀性。这种均匀性对于在大面积基底上形成一致的高质量涂层至关重要，从而提高了所生产材料的可靠性。
稳定的沉积：该设计采用了先进的半导体工业理念，使基底之间的偏差小于 2%。这种高水平的一致性对于需要精确和可重复结果的应用（如电子元件生产）至关重要。
稳定的过程控制：设备的高稳定性确保了 CVD 工艺的连续性和一致性。这种可靠性对于保持工艺完整性和降低运行过程中出现缺陷或故障的风险至关重要。
智能控制系统：集成控制系统由 Bonage 获得专利，包括采用闭环负反馈机制的高性能温度控制系统。该系统与高质量的进口电气元件相结合，提高了设备的整体性能和可靠性，使其几乎无需维护。
应用广泛：该炉适用于沉积各种类型的薄膜，包括金属、陶瓷和复合薄膜，支持连续生长工艺，并可轻松扩展等离子清洗和蚀刻等附加功能。这种多功能性使其成为满足各种研究和生产需求的宝贵资产。
原理
带真空站 CVD 设备的分室 CVD 管式炉是用于化学气相沉积（CVD）过程的高温真空炉。CVD 是一种通过气体或蒸汽的化学反应在基底上沉积薄膜材料的过程。带真空站的分体式 CVD 管式炉 CVD 设备采用分体式炉膛，便于在 CVD 过程中接触基底。真空站用于在炉腔内形成真空，这有助于去除杂质并提高沉积薄膜的质量。
优势
直观的样品观察和快速冷却：分体式炉腔可直接观察反应样品并快速冷却。
高温能力：最高工作温度可达 1200℃，应用广泛。
精确的气体控制：带有 CH4、H2、O2 和 N2 源的 4 通道 MFC 质量流量计可确保精确稳定的气体供应。
真空兼容性：真空站配备 4L/S 旋片真空泵，最大真空压力可达 10Pa，可进行各种真空处理。
高速加热和冷却：炉腔滑动系统有助于快速加热和冷却，从而实现高效的样品处理。
先进的温度控制：PID 可编程温度控制，精度极高，具有远程控制和集中控制功能。
用户友好界面：CTF Pro 控制器配备 7 英寸 TFT 触摸屏，提供直观的程序设置和数据分析。
多功能真空设置：不锈钢真空法兰带有可调整的端口，可容纳不同的真空泵站，以适应定制的真空环境。
高效节能：水冷系统和气体后流设计将能耗降至最低。
适用性广：适用于真空和大气保护下的 CVD、扩散和其他热处理。
安全优势
Kindle Tech 管式炉具有过流保护和过温报警功能，炉子会自动关闭电源
炉子内置热耦合检测功能，一旦检测到破损或故障，炉子将停止加热并报警
KT-CTF12 Pro 支持断电重启功能，故障后接通电源时，炉子将恢复加热程序
技术规格
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江苏 - 徐州
2025年03月25日 ~ 27日
