本发明公开了一种电子束过热熔炼去除
多晶硅中金属杂质的方法和装置,属于冶金领域。所述装置包括水冷熔炼坩埚,所述水冷铜坩埚采用倾斜式侧壁设计,所述水冷铜坩埚内侧壁与水冷铜坩埚底夹角为105~120°,所述水冷铜坩埚内设有石墨衬套,所述石墨衬套外表面与水冷铜坩埚内表面贴合,紧配合设计,石墨衬套的底部与水冷铜坩埚底部水平,所述石墨衬套内表面侧壁与石墨衬套底夹角为95~100°。在本发明装置中进行过热熔炼去除金属杂质,可减少后续定向凝固以及铸锭的次数,减少提纯工艺,降低生产成本;多晶硅提纯电子束过热熔炼可降低后期定向凝固次数1次以上;多晶硅提纯电子束过热熔炼可降低多晶硅中金属杂质30%以上。
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