权利要求
1.一种直拉硅单晶坩埚，其特征在于：包括坩埚本体(1)，所述坩埚本体(1)的材质为钨。
2.一种基于权利要求1所述的直拉硅单晶坩埚的拉晶方法，其特征在于：包括：
将坩埚放置在单晶炉热场埚托上，并将物料投入至坩埚内;
将埚转设置为7~9转，炉压设置为11~13托，进行拉晶处理。
3.根据权利要求2所述的直拉硅单晶坩埚的拉晶方法，其特征在于：所述拉晶处理包括：
坩埚每运行400-500小时，且埚底物料为20-30kg时，采用虹吸装置将埚底物料吸出，并进行物料复投。
4.根据权利要求3所述的直拉硅单晶坩埚的拉晶方法，其特征在于：所述拉晶处理还包括：
在拉晶时间达到预设阈值后停炉，使坩埚自然缓冷;
拆炉对坩埚内表面进行酸洗处理，烘干后再投炉拉晶。
5.根据权利要求4所述的直拉硅单晶坩埚的拉晶方法，其特征在于：所述拉晶时间的预设阈值为1000h。
6.根据权利要求4所述的直拉硅单晶坩埚的拉晶方法，其特征在于：所述坩埚自然缓冷的时间为16h。
7.根据权利要求4所述的直拉硅单晶坩埚的拉晶方法，其特征在于：所述酸洗处理采用的酸清洗剂为氢氟酸。
说明书
技术领域
[0001]本发明涉及单晶硅制造技术领域，特别是涉及一种直拉硅单晶坩埚及拉晶方法。
背景技术
[0002]太阳能单晶硅行业，随着多年技术发展迭代，N型硅片已占市场主流，但N型硅片对氧含量要求极为严苛。
[0003]现有技术一般采用石英坩埚(二氧化硅材质)，高温下二氧化硅释放出氧原子进入硅熔液。高埚转加剧熔液与坩埚壁反应，高炉压导致熔硅中的氧无法快速挥发出熔液表面。对此行业现在均采用低埚转、低炉压工艺改善氧进入晶棒，但此极限工艺造成拉晶过程中成晶困难，温度不稳定导致的引放成活率下降，最终造成单产低，运行成本高，此现象是目前行业的难点。
发明内容
[0004]本发明所要解决的技术问题是，克服现有技术的缺点，提供一种直拉硅单晶坩埚及拉晶方法。
[0005]为了解决以上技术问题，本发明的技术方案如下：
一种直拉硅单晶坩埚，包括坩埚本体，所述坩埚本体的材质为钨。
[0006]本发明还提供了一种直拉硅单晶坩埚的拉晶方法，包括：
将坩埚放置在单晶炉热场埚托上，并将物料投入至坩埚内;
将埚转设置为7~9转，炉压设置为11~13托，进行拉晶处理。
[0007]作为本发明所述直拉硅单晶坩埚的拉晶方法的一种优选方案，其中：所述拉晶处理包括：
坩埚每运行400-500小时，且埚底物料为20-30kg时，采用虹吸装置将埚底物料吸出，并进行物料复投。
[0008]作为本发明所述直拉硅单晶坩埚的拉晶方法的一种优选方案，其中：所述拉晶处理还包括：
在拉晶时间达到预设阈值后停炉，使坩埚自然缓冷;
拆炉对坩埚内表面进行酸洗处理，烘干后再投炉拉晶。
[0009]作为本发明所述直拉硅单晶坩埚的拉晶方法的一种优选方案，其中：所述拉晶时间的预设阈值为1000h。
[0010]作为本发明所述直拉硅单晶坩埚的拉晶方法的一种优选方案，其中：所述坩埚自然缓冷的时间为16h。
[0011]作为本发明所述直拉硅单晶坩埚的拉晶方法的一种优选方案，其中：所述酸洗处理采用的酸清洗剂为氢氟酸。
[0012]本发明的有益效果是：
(1)本发明将坩埚本体的材质由传统的石英替换为钨，高温下硅熔体与钨坩埚不会发生反应，可有效杜绝拉晶过程中氧含量高，硅片电池同心圆高的现象，从而实现无氧拉晶，拉晶工艺窗口可放开，进而提升单产，且保证硅棒零氧。
[0013](2)本发明提供的钨坩埚运行时间更长，打破传统石英坩埚运行<600小时极限，可实现1000小时运行，有效提高了拉晶效率。
[0014](3)本发明提供的钨坩埚实现了拉晶过程中坩埚的重复使用，可大大降低拉晶非硅成本。
[0015](4)本发明有效解决了热场拆清频次高的问题，实现了操作人员的精简。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0017]图1为本发明提供的直拉硅单晶坩埚的结构示意图;
其中：1、坩埚本体。
具体实施方式
[0018]为使本发明的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施方式并结合附图，对本发明作出进一步详细的说明。
[0019]图1为本申请实施例提供的直拉硅单晶坩埚的结构示意图。直拉硅单晶坩埚包括坩埚本体1。其中，坩埚本体1的材质为钨。
[0020]将坩埚本体1的材质由传统的石英替换为钨，高温下硅熔体与钨坩埚不会发生反应，可有效杜绝拉晶过程中氧含量高，硅片电池同心圆高的现象，从而实现无氧拉晶，拉晶工艺窗口可放开，进而提升单产，且保证硅棒零氧。
[0021]本申请实施例还提供了一种直拉硅单晶坩埚的拉晶方法，该方法包括以下步骤：
步骤S101：将坩埚放置在单晶炉热场埚托上，并将物料投入至坩埚内。
[0022]具体的，炉台清理完成后，将钨坩埚放置在单晶炉热场埚托上，并进行投料。
[0023]步骤S102：将埚转设置为7~9转，炉压设置为11~13托，进行拉晶处理。
[0024]具体的，投料后采用大埚转、高炉压的拉晶工艺，改善大尺寸晶棒成晶问题。由于钨坩埚无法释放出氧原子，因此可以采用比较宽的工艺窗口拉晶。
[0025]在本实施例中，埚转设置为7~9转，炉压设置为11~13Torr。
[0026]在拉晶处理中，由于拉晶过程中长时间运行会导致埚底熔硅杂质含量高，对晶棒的寿命产生影响，因此，坩埚每运行400-500小时，且埚底物料为20-30kg时，需采用虹吸装置将埚底物料吸出，之后进行物料复投。
[0027]另外，在拉晶处理的时间达到预设阈值后需停炉。钨坩埚强度高，在真空惰性气体保护下抗腐蚀性良好，停炉延迟一段时间使钨坩埚自然缓慢降温后拆炉，对坩埚内表面进行酸洗处理，烘干后再投炉拉晶。
[0028]在本实施中，上述拉晶时间的预设阈值为1000h。坩埚自然缓冷的时间为16h。酸洗处理采用的酸清洗剂为氢氟酸。
[0029]由此，本申请的技术方案将坩埚本体的材质由传统的石英替换为钨，实现无氧拉晶，拉晶工艺窗口可放开，进而提升单产，且保证硅棒零氧。同时，钨坩埚的运行时间更长，打破传统石英坩埚运行<600小时极限，可实现1000小时运行，重复使用，可大大降低拉晶非硅成本。
[0030]除上述实施例外，本发明还可以有其他实施方式;凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案，均落在本发明要求的保护范围。
说明书附图(1)
声明：
“直拉硅单晶坩埚及拉晶方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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编辑：北方有色网
来源：云南嘉泰来新材料有限公司, 包头美科硅能源有限公司
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