权利要求
1.一种轻量化TPcon专用焊带合金基材的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、基材选型与配比精准设计,选用
铜包
铝复合结构作为焊带基材,设定铜与铝的质量配比为60:40,同时在铝芯表面进行微粗糙化预处理,预处理后铝芯表面粗糙度Ra控制在0.8-1.2μm,以提升铜铝界面结合力;
S2、铜包铝基材复合成型,采用连续挤压包覆工艺将铜层与预处理后的铝芯复合成型,挤压温度控制在380-420℃、挤压速度0.5-1.5m/min,成型后立即进行界面扩散处理,扩散温度450-500℃、保温时间20-30min,得到铜铝界面结合牢固的铜包铝复合基材;
S3、梯度退火处理,对所述铜包铝复合基材采用梯度升温-恒温-梯度降温的退火工艺,其中梯度升温速率为5-8℃/min,恒温阶段温度280-320℃、保温时间40-60min,梯度降温速率为3-5℃/min,退火全程控制电流波动范围±1.5A以内,确保退火均匀性;
S4、表面适配性处理,对退火后的基材进行表面钝化处理,形成厚度为2-5μm的钝化膜,再采用激光微刻制得间距50-80μm的微沟槽结构,提升与TPcon组件的焊接适配性;
S5、综合性能检测,依次进行电阻率、延伸率、抗拉强度检测,以及85℃/85%RH环境下1000h老化测试、TPcon专用焊接性能测试,确保基材满足使用要求。
2.根据权利要求1所述的一种轻量化TPcon专用焊带合金基材的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中,铝芯微粗糙化预处理采用喷砂工艺,喷砂介质为粒径0.1-0.3mm的
氧化铝颗粒,喷砂压力0.3-0.5MPa。
3.根据权利要求1所述的一种轻量化TPcon专用焊带合金基材的制备方法,其特征在于,所述步骤S2连续挤压包覆工艺中,铜层原料选用纯度≥99.99%的无氧铜,铝芯原料选用纯度≥99.7%的工业纯铝。
4.根据权利要求1所述的一种轻量化TPcon专用焊带合金基材的制备方法,其特征在于,所述步骤S2中,界面扩散处理过程中通入惰性保护气体,所述惰性保护气体为氩气,气体流量为5-10L/min。
5.根据权利要求1所述的一种轻量化TPcon专用焊带合金基材的制备方法,其特征在于,所述步骤S3中,梯度退火处理全程在真空环境下进行,真空度≤5×10-3Pa。
6.根据权利要求1所述的一种轻量化TPcon专用焊带合金基材的制备方法,其特征在于,所述步骤S4中,表面钝化处理采用铬酸盐钝化工艺,钝化液pH值控制在2.5-3.5,处理温度25-35℃,处理时间5-8min。
7.根据权利要求1所述的一种轻量化TPcon专用焊带合金基材的制备方法,其特征在于,所述步骤S5中,电阻率≤0.026Ω·mm²/m,延伸率≥18%,抗拉强度≥130MPa。
8.根据权利要求1所述的一种轻量化TPcon专用焊带合金基材的制备方法,其特征在于,所述步骤S5中,焊接性能测试要求:与TPcon组件焊接后,接头剪切强度≥35MPa,焊接处无虚焊、假焊及氧化缺陷。
9.根据权利要求1所述的一种轻量化TPcon专用焊带合金基材的制备方法,其特征在于,所述步骤S5中,老化测试后,基材表面无氧化变色、无开裂,电阻率变化率≤5%,抗拉强度变化率≤8%。
10.根据权利要求1所述的一种轻量化TPcon专用焊带合金基材的制备方法,其特征在于,还包括步骤S6,所述步骤S6对检测合格的基材进行裁切、收卷,收卷张力控制在15-25N,避免基材表面损伤。
说明书
技术领域
[0001]本发明涉及
光伏新能源技术领域,更具体地说,本发明涉及一种轻量化TPcon专用焊带合金基材的制备方法。
背景技术
[0002]TPcon(薄膜覆晶封装)组件作为光伏、显示等领域的核心部件,其焊带的性能直接影响组件的连接可靠性、电能传输效率及使用寿命。目前,TPcon专用焊带的基材普遍采用高纯度铜材,这主要是因为铜具有优异的导电性能和焊接兼容性,能够满足TPcon组件对电流传输的高要求。
[0003]然而,随着光伏、显示行业的快速发展,组件产量大幅提升,铜材价格的波动及高昂成本给企业带来了巨大的成本压力,成为制约行业降本增效的关键因素之一。同时,纯铜基材的密度较大,导致相同长度的焊带重量偏高,不仅增加了组件整体重量,还提高了焊带运输过程中的物流成本;在组件生产装配环节,较重的焊带也会增加操作人员的劳动强度,降低装配效率。
[0004]为解决上述成本和重量问题,部分技术尝试采用铜包铝材料替代纯铜基材,但现有铜包铝基材在TPcon专用焊带的应用中存在诸多技术瓶颈:一是铜铝界面结合不牢固,在后续退火、焊接及使用过程中易出现分层、剥离现象,严重影响焊带的结构稳定性和导电性能;二是现有铜包铝材料的配比设计不合理,易出现电阻率过高、延伸率和抗拉强度不足的问题,无法满足TPcon组件对焊带的力学性能和导电性能要求;三是退火工艺控制粗放,电流波动大导致退火不均匀,使得焊带屈服强度波动范围大,影响焊接一致性;四是基材表面性能与TPcon组件的焊接需求适配性差,易出现虚焊、假焊现象,降低组件的连接可靠性。
[0005]此外,现有铜包铝基材的制备工艺缺乏针对TPcon专用场景的定制化设计,未考虑TPcon组件焊接温度、封装环境等特殊要求,导致基材的老化性能、耐环境性能不足,无法保障组件的长期使用寿命。因此,研发一种能够兼顾成本降低、重量减轻,同时具备优异界面结合力、稳定力学及导电性能、良好焊接适配性和耐老化性能的轻量化TPcon专用焊带合金基材制备方法,成为当前本领域亟待解决的技术问题。因此,现提出一种轻量化TPcon专用焊带合金基材的制备方法。
发明内容
[0006]为了克服现有技术的上述缺陷,本发明提供一种轻量化TPcon专用焊带合金基材的制备方法,以解决上述背景技术中提出的问题。
[0007]为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种轻量化TPcon专用焊带合金基材的制备方法,包括以下步骤:
[0008]S1、基材选型与配比精准设计,选用铜包铝复合结构作为焊带基材,设定铜与铝的质量配比为60:40,同时在铝芯表面进行微粗糙化预处理,预处理后铝芯表面粗糙度Ra控制在0.8-1.2μm,以提升铜铝界面结合力;
[0009]S2、铜包铝基材复合成型,采用连续挤压包覆工艺将铜层与预处理后的铝芯复合成型,挤压温度控制在380-420℃、挤压速度0.5-1.5m/min,成型后立即进行界面扩散处理,扩散温度450-500℃、保温时间20-30min,得到铜铝界面结合牢固的铜包铝复合基材;
[0010]S3、梯度退火处理,对所述铜包铝复合基材采用梯度升温-恒温-梯度降温的退火工艺,其中梯度升温速率为5-8℃/min,恒温阶段温度280-320℃、保温时间40-60min,梯度降温速率为3-5℃/min,退火全程控制电流波动范围±1.5A以内,确保退火均匀性;
[0011]S4、表面适配性处理,对退火后的基材进行表面钝化处理,形成厚度为2-5μm的钝化膜,再采用激光微刻制得间距50-80μm的微沟槽结构,提升与TPcon组件的焊接适配性;
[0012]S5、综合性能检测,依次进行电阻率、延伸率、抗拉强度检测,以及85℃/85%RH环境下1000h老化测试、TPcon专用焊接性能测试,确保基材满足使用要求;
[0013]通过上述步骤制备的铜包
铝合金基材,相较于传统纯铜基材,成本降低30%以上,相同米数下重量减轻40%以上,同时铜铝界面剥离强度≥25MPa,适配TPcon组件焊接需求。
[0014]具体的,以铜包铝复合结构替代纯铜基材,基于60:40的铜铝质量配比平衡导电性能与成本、重量需求;铝芯微粗糙化通过增大铜铝接触面积提升界面物理结合力,界面扩散处理促进铜铝原子相互扩散形成冶金结合,进一步强化界面稳定性;梯度退火工艺通过精准控制升/降温速率和恒温参数,减少基材内部热应力,配合稳定电流控制避免局部过热或未充分退火,保障性能均匀性;表面钝化形成防护膜防止氧化,激光微刻的微沟槽结构可增加焊接时焊料的润湿面积和机械咬合力,提升焊接适配性;综合性能检测确保基材符合TPcon专用场景的各项指标要求。
[0015]从而实现基材成本降低30%以上、相同米数重量减轻40%以上,解决纯铜基材成本高、重量大的问题;铜铝界面剥离强度≥25MPa,避免分层剥离风险;基材电阻率、延伸率、抗拉强度等性能稳定,退火均匀性好,焊接适配性优异,耐老化性能达标,精准匹配TPcon组件使用需求,同时降低运输和装配环节的成本与劳动强度。
[0016]优选地,所述步骤S1中,铝芯微粗糙化预处理采用喷砂工艺,喷砂介质为粒径0.1-0.3mm的氧化铝颗粒,喷砂压力0.3-0.5MPa。
[0017]具体的,选用氧化铝颗粒作为喷砂介质,其硬度适中且化学稳定性好,可在铝芯表面形成均匀粗糙面,避免损伤铝芯基体;控制特定粒径和喷砂压力,能精准将铝芯表面粗糙度Ra控制在0.8-1.2μm的最优范围,既保证足够的接触面积,又不会因过度粗糙导致应力集中。
[0018]从而实现铝芯微粗糙化预处理的标准化、可控化,避免预处理工艺波动影响界面结合力;提升铜铝复合成型后的界面结合稳定性,为后续界面扩散处理奠定良好基础,保障基材整体结构一致性。
[0019]优选地,所述步骤S2连续挤压包覆工艺中,铜层原料选用纯度≥99.99%的无氧铜,铝芯原料选用纯度≥99.7%的工业纯铝。
[0020]具体的,高纯度无氧铜可减少杂质对导电性能的影响,避免杂质形成导电壁垒,保障基材优异的电流传输能力;工业纯铝能减少杂质相的产生,避免杂质相在铜铝界面聚集导致界面结合薄弱,同时保证铝芯自身的力学延展性。
[0021]以此,从原料端保障基材的基础导电性能和力学性能,减少因原料杂质导致的性能波动;提升铜包铝复合基材的批次稳定性,降低因原料问题引发的界面缺陷、电阻率异常等风险。
[0022]优选地,所述步骤S2中,界面扩散处理过程中通入惰性保护气体,所述惰性保护气体为氩气,气体流量为5-10L/min。
[0023]具体的,界面扩散处理过程中,高温环境下铜铝易被氧化形成氧化膜,阻碍原子扩散;氩气作为惰性保护气体,可隔绝空气,避免铜铝表面氧化,同时稳定扩散环境,保障扩散过程均匀进行。
[0024]从而减少界面氧化缺陷,促进铜铝原子充分扩散,提升界面冶金结合质量,进一步提高铜铝界面剥离强度;避免氧化膜导致的界面分层风险,保障基材在后续加工和使用过程中的结构稳定性。
[0025]优选地,所述步骤S3中,梯度退火处理全程在真空环境下进行,真空度≤5×10-3Pa。
[0026]具体的,通过真空环境可彻底隔绝氧气,避免梯度退火过程中基材表面和内部发生氧化;同时真空环境能减少热传导过程中的热量损失,使基材各部位温度更均匀,配合梯度退火参数进一步提升退火均匀性。
[0027]从而防止退火过程中基材氧化变色,保障表面质量;提升基材性能均匀性,避免因局部氧化或温度不均导致的电阻率、抗拉强度等性能波动;降低退火后基材的性能离散度,提升批次一致性。
[0028]优选地,所述步骤S4中,表面钝化处理采用铬酸盐钝化工艺,钝化液pH值控制在2.5-3.5,处理温度25-35℃,处理时间5-8min。
[0029]具体的,铬酸盐钝化工艺通过化学反应在基材表面形成致密的铬酸盐钝化膜,该膜层具有优异的抗氧化和耐腐蚀性能;控制特定的pH值、温度和时间,可精准调控钝化膜厚度在2-5μm的最优范围,既保证防护效果,又不影响后续焊接性能。
[0030]从而有效提升基材的耐氧化、耐腐蚀能力,延长基材储存和使用过程中的使用寿命;钝化膜厚度均匀,避免因膜层过厚导致的焊接不良,保障与TPcon组件的焊接兼容性。
[0031]优选地,所述步骤S5中,电阻率≤0.026Ω·mm²/m,延伸率≥18%,抗拉强度≥130MPa。
[0032]具体的,通过限定具体的电阻率、延伸率、抗拉强度指标,明确基材的核心性能阈值,这些指标是基于TPcon组件对焊带的电流传输需求、装配过程中的形变需求以及使用过程中的承载需求确定的,是保障焊带正常工作的关键性能参数。
[0033]以此确保基材具备优异的导电性能,满足TPcon组件的电流传输效率要求;具备足够的延展性,可适应装配过程中的弯曲、拉伸等形变,避免断裂;具备可靠的抗拉强度,保障使用过程中的结构稳定性,避免因力学性能不足导致的焊带失效。
[0034]优选地,所述步骤S5中,焊接性能测试要求:与TPcon组件焊接后,接头剪切强度≥35MPa,焊接处无虚焊、假焊及氧化缺陷。
[0035]具体的,焊接接头剪切强度是衡量焊接可靠性的核心指标,≥35MPa的阈值基于TPcon组件的使用环境(如振动、温度循环等)确定;无虚焊、假焊及氧化缺陷的要求,是为了避免焊接接头存在导电盲区或结构薄弱点,保障电流传输的连续性和接头的结构稳定性。
[0036]从而确保基材与TPcon组件焊接后形成牢固、可靠的连接,避免使用过程中接头脱落或接触不良;保障组件的电流传输效率稳定,降低因焊接缺陷导致的组件故障风险,提升组件整体可靠性。
[0037]优选地,所述步骤S5中,老化测试后,基材表面无氧化变色、无开裂,电阻率变化率≤5%,抗拉强度变化率≤8%。
[0038]具体的,老化测试模拟TPcon组件长期使用的恶劣环境(高温高湿),通过限定老化后的表面状态和性能变化率,确保基材在长期使用过程中性能稳定;电阻率和抗拉强度的小范围变化率要求,是为了避免因环境老化导致基材导电性能下降或力学性能劣化,保障组件长期使用寿命。
[0039]验证基材具备优异的耐老化性能,可适应TPcon组件的长期使用环境;避免老化后出现表面氧化、开裂等缺陷,保障基材性能稳定性,延长组件的使用寿命,降低后期维护成本。
[0040]优选地,还包括步骤S6,所述步骤S6对检测合格的基材进行裁切、收卷,收卷张力控制在15-25N,避免基材表面损伤。
[0041]具体的,检测合格后的基材裁切、收卷过程中,控制15-25N的收卷张力,既能保证收卷的紧致性,避免松散导致的运输和存储过程中基材损伤;又能避免张力过大导致基材拉伸变形或表面产生划痕,保障基材最终产品质量。
[0042]从而减少裁切、收卷环节对基材的损伤,保障基材表面完整性和尺寸精度;提升最终产品的外观质量和性能一致性,降低因加工环节导致的产品报废率,提高生产效率。
[0043]本发明的技术效果和优点:
[0044]1、本发明采用60:40质量配比的铜包铝复合基材替代传统纯铜基材,大幅减少了铜材的使用量,使得焊带基材单位长度成本降低40.6%-43.8%,有效缓解了铜材价格波动带来的成本压力,为光伏、显示等依赖TPcon组件的行业提供了低成本解决方案,显著提升企业经济效益。
[0045]2、本发明铜包铝基材密度远低于纯铜,相同长度下重量减轻40%-41.8%,一方面降低了焊带运输过程中的物流成本,另一方面减轻了组件生产装配环节操作人员的劳动强度,提升装配效率,同时也有助于降低TPcon组件整体重量,适配轻量化组件的发展需求。
[0046]3、通过铝芯微粗糙化预处理与界面扩散处理的协同作用,铜铝界面形成牢固的冶金结合,界面剥离强度≥26MPa,有效解决了传统铜包铝基材易分层、剥离的技术瓶颈;同时,界面稳定性的提升保障了基材在后续退火、焊接及长期使用过程中的结构完整性,避免因界面缺陷导致的导电性能和力学性能劣化。
[0047]4、本发明采用梯度退火工艺,配合真空环境与精准电流控制,有效减少基材内部热应力,避免退火不均匀问题,使得基材具备优异的力学和导电性能——电阻率≤0.026Ω·mm²/m、延伸率≥20%、抗拉强度≥140MPa,性能波动小、批次一致性好,完全满足TPcon组件对焊带电流传输效率和力学承载能力的高要求。
[0048]5、通过表面钝化处理与激光微刻工艺,在基材表面形成致密钝化膜和均匀微沟槽结构,既提升了焊料的润湿能力,又增强了焊接接头的机械咬合力,使得焊接接头剪切强度≥39MPa,远优于无表面处理的铜包铝基材,有效避免虚焊、假焊现象,保障TPcon组件连接的牢固性和电流传输的连续性。
[0049]6、本发明通过界面强化、真空梯度退火及表面钝化的协同设计,显著提升了基材的耐环境老化能力,在85℃/85%RH的恶劣环境下放置1000h后,电阻率变化率≤2.8%,抗拉强度变化率≤4.2%,表面无氧化变色、开裂现象,能够适配TPcon组件长期使用的环境需求,延长组件使用寿命,降低后期维护成本。
附图说明
[0050]图1为本发明的制备方法流程示意图。
具体实施方式
[0051]基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围,现结合附图1本发明的制备方法流程示意图提供以下实施例。
[0052]实施例1
[0053]本实施例1提供的一种轻量化TPcon专用焊带合金基材的制备方法,包括以下步骤:
[0054]S1、基材选型与配比精准设计,选用铜包铝复合结构作为焊带基材,设定铜与铝的质量配比为60:40,同时在铝芯表面进行微粗糙化预处理,铝芯微粗糙化预处理采用喷砂工艺,喷砂介质为粒径0.2mm的氧化铝颗粒,喷砂压力0.4MPa,预处理后铝芯表面粗糙度Ra控制在1.0μm,以提升铜铝界面结合力;
[0055]S2、铜包铝基材复合成型,采用连续挤压包覆工艺将铜层与预处理后的铝芯复合成型,挤压温度控制在400℃、挤压速度1.0m/min,成型后立即进行界面扩散处理,扩散温度480℃、保温时间25min,且界面扩散处理过程中通入惰性保护气体,所述惰性保护气体为氩气,气体流量为8L/min得到铜铝界面结合牢固的铜包铝复合基材;
[0056]S3、梯度退火处理,对所述铜包铝复合基材采用梯度升温-恒温-梯度降温的退火工艺,其中梯度升温速率为6℃/min,恒温阶段温度300℃、保温时间50min,梯度降温速率为4℃/min,退火全程控制电流波动范围±1.0A以内,确保退火均匀性,且梯度退火处理全程在真空环境下进行,真空度为3×10-3Pa;
[0057]S4、表面适配性处理,对退火后的基材进行表面钝化处理,表面钝化处理采用铬酸盐钝化工艺,钝化液pH值控制在3.0,处理温度30℃,处理时间6min,从而形成厚度为3μm的钝化膜,再采用激光微刻制得间距60μm的微沟槽结构,提升与TPcon组件的焊接适配性;
[0058]S5、综合性能检测,依次进行电阻率、延伸率、抗拉强度检测,以及85℃/85%RH环境下1000h老化测试、TPcon专用焊接性能测试,确保基材满足使用要求;
[0059]S6、对检测合格的基材进行裁切、收卷,收卷张力控制在20N,避免基材表面损伤。
[0060]实施例2
[0061]本实施例2提供的一种轻量化TPcon专用焊带合金基材的制备方法,包括以下步骤:
[0062]S1、基材选型与配比精准设计,选用铜包铝复合结构作为焊带基材,设定铜与铝的质量配比为60:40,同时在铝芯表面进行微粗糙化预处理,铝芯微粗糙化预处理采用喷砂工艺,喷砂介质为粒径0.1mm的氧化铝颗粒,喷砂压力0.3MPa,预处理后铝芯表面粗糙度Ra控制在0.8μm,以提升铜铝界面结合力;
[0063]S2、铜包铝基材复合成型,采用连续挤压包覆工艺将铜层与预处理后的铝芯复合成型,挤压温度控制在380℃、挤压速度0.5m/min,成型后立即进行界面扩散处理,扩散温度450℃、保温时间20min,且界面扩散处理过程中通入惰性保护气体,所述惰性保护气体为氩气,气体流量为5L/min得到铜铝界面结合牢固的铜包铝复合基材;
[0064]S3、梯度退火处理,对所述铜包铝复合基材采用梯度升温-恒温-梯度降温的退火工艺,其中梯度升温速率为5℃/min,恒温阶段温度280℃、保温时间40min,梯度降温速率为3℃/min,退火全程控制电流波动范围±1.5A以内,确保退火均匀性,且梯度退火处理全程在真空环境下进行,真空度为5×10-3Pa;
[0065]S4、表面适配性处理,对退火后的基材进行表面钝化处理,表面钝化处理采用铬酸盐钝化工艺,钝化液pH值控制在2.5,处理温度25℃,处理时间5min,从而形成厚度为2μm的钝化膜,再采用激光微刻制得间距50μm的微沟槽结构,提升与TPcon组件的焊接适配性;
[0066]S5、综合性能检测,依次进行电阻率、延伸率、抗拉强度检测,以及85℃/85%RH环境下1000h老化测试、TPcon专用焊接性能测试,确保基材满足使用要求;
[0067]S6、对检测合格的基材进行裁切、收卷,收卷张力控制在15N,避免基材表面损伤。
[0068]实施例3
[0069]本实施例3提供的一种轻量化TPcon专用焊带合金基材的制备方法,包括以下步骤:
[0070]S1、基材选型与配比精准设计,选用铜包铝复合结构作为焊带基材,设定铜与铝的质量配比为60:40,同时在铝芯表面进行微粗糙化预处理,铝芯微粗糙化预处理采用喷砂工艺,喷砂介质为粒径0.3mm的氧化铝颗粒,喷砂压力0.5MPa,预处理后铝芯表面粗糙度Ra控制在1.2μm,以提升铜铝界面结合力;
[0071]S2、铜包铝基材复合成型,采用连续挤压包覆工艺将铜层与预处理后的铝芯复合成型,挤压温度控制在420℃、挤压速度1.5m/min,成型后立即进行界面扩散处理,扩散温度500℃、保温时间30min,且界面扩散处理过程中通入惰性保护气体,所述惰性保护气体为氩气,气体流量为10L/min得到铜铝界面结合牢固的铜包铝复合基材;
[0072]S3、梯度退火处理,对所述铜包铝复合基材采用梯度升温-恒温-梯度降温的退火工艺,其中梯度升温速率为8℃/min,恒温阶段温度320℃、保温时间60min,梯度降温速率为5℃/min,退火全程控制电流波动范围±1.2A以内,确保退火均匀性,且梯度退火处理全程在真空环境下进行,真空度为2×10-3Pa;
[0073]S4、表面适配性处理,对退火后的基材进行表面钝化处理,表面钝化处理采用铬酸盐钝化工艺,钝化液pH值控制在3.5,处理温度35℃,处理时间8min,从而形成厚度为5μm的钝化膜,再采用激光微刻制得间距80μm的微沟槽结构,提升与TPcon组件的焊接适配性;
[0074]S5、综合性能检测,依次进行电阻率、延伸率、抗拉强度检测,以及85℃/85%RH环境下1000h老化测试、TPcon专用焊接性能测试,确保基材满足使用要求;
[0075]S6、对检测合格的基材进行裁切、收卷,收卷张力控制在25N,避免基材表面损伤。
[0076]对比例1
[0077]本对比例一中焊带合金基材的制备方法采用的基材为与实施例1-3相同纯度为99.99%的无氧铜,仅进行常规恒温退火(300℃、50min),无其他处理(无界面处理、无表面适配性处理)。
[0078]对比例2
[0079]本对比例2中焊带合金基材的制备方法,铜铝质量比60:40,无铝芯微粗糙化、无界面扩散处理,其余工艺同实施例1(连续挤压包覆、梯度退火、表面适配性处理、收卷)。
[0080]对比例3
[0081]本对比例3中焊带合金基材的制备方法,铜铝质量比60:40,采用常规恒温退火(300℃、50min,电流波动±3A),无梯度升/降温,其余工艺同实施例1(铝芯微粗糙化、界面扩散、表面适配性处理、收卷)。
[0082]对比例4
[0083]本对比例4中焊带合金基材的制备方法,铜铝质量比50:50,其余工艺同实施例1(铝芯微粗糙化、界面扩散、梯度退火、表面适配性处理、收卷)。
[0084]对比例5
[0085]本对比例5中焊带合金基材的制备方法,铜铝质量比60:40,无表面钝化、无激光微刻,其余工艺同实施例1(铝芯微粗糙化、界面扩散、梯度退火、收卷)。
[0086]对各实施例1-3和对比例1-5的样品进行统一检测,检测方法如下:
[0087]1.单位长度成本:按原料采购价+加工费核算,单位:元/m;
[0088]2.单位长度重量:采用电子天平称重,取3组平行样品平均值,单位:g/m;
[0089]3.界面剥离强度:采用万能试验机进行剥离试验,速率5mm/min,单位:MPa;
[0090]4.电阻率:采用四探针法检测,单位:Ω·mm²/m;
[0091]5.延伸率、抗拉强度:采用万能试验机进行拉伸试验,速率2mm/min;
[0092]6.焊接接头剪切强度:将样品与TPcon组件焊接后,用万能试验机进行剪切试验,速率3mm/min,单位:MPa;
[0093]7.老化后性能变化率:85℃/85%RH恒温恒湿箱中放置1000h后,检测电阻率和抗拉强度,计算变化率(变化率=|老化后值-老化前值|/老化前值×100%)。
[0094]检测结果如下表1。
[0095]表1:实施例1-3和对比例1-5检测结果表
[0096]
组别单位长度成本(元/m)单位长度重量(g/m)界面剥离强度(MPa)电阻率(Ω·mm²/m)延伸率(%)抗拉强度(MPa)焊接接头剪切强度(MPa)老化后电阻率变化率(%)老化后抗拉强度变化率(%)实施例11.832280.02422145422.13.5实施例21.933260.02520140392.84.2实施例31.8532.5270.024521142402.53.8对比例13.255-0.01725150381.83.2对比例21.832120.02516120373.06.5对比例31.832270.02814115364.57.8对比例41.630250.03215110355.28.1对比例51.732280.02422145306.89.2
[0097]结合上表1数据,本发明技术方案对应的实施例通过与对比例的显著差异得以验证可知,具备:
[0098]1.显著降低成本与轻量化,解决传统纯铜基材的核心痛点:
[0099]实施例1-3的单位长度成本仅1.8-1.9元/m,较对比例1(纯铜,3.2元/m)降低40.6%-43.8%;单位长度重量32-33g/m,较对比例1(55g/m)减轻40%-41.8%。这一优势直接解决了现有技术中纯铜焊带成本高、物流及装配劳动强度大的问题,同时未过度牺牲核心性能(如实施例1的焊接接头剪切强度42MPa,优于纯铜的38MPa)。
[0100]2.界面强化设计保障结构稳定性,突破传统铜包铝的界面瓶颈:
[0101]实施例1-3的界面剥离强度达26-28MPa,而未采用铝芯微粗糙化和界面扩散的对比例2仅12MPa,不足实施例的一半;且对比例2的老化后抗拉强度变化率6.5%,显著高于实施例1的3.5%。说明本方案的界面强化技术可有效避免铜铝分层风险,提升基材长期使用稳定性,解决了传统铜包铝界面结合薄弱的关键技术问题。
[0102]3.梯度退火工艺提升性能均匀性与耐老化性:
[0103]采用梯度退火的实施例1-3,延伸率20%-22%、抗拉强度140-145MPa,而采用常规恒温退火的对比例3,延伸率仅14%、抗拉强度115MPa,且老化后电阻率变化率4.5%、抗拉强度变化率7.8%,均远超实施例。证明梯度退火可减少热应力,保障性能均匀性,提升耐老化能力,解决了传统退火工艺粗放导致的性能波动问题。
[0104]4.最优配比与表面适配性处理平衡性能与适配性:
[0105]配比方面:实施例(60:40)的电阻率0.024-0.025Ω·mm²/m、延伸率20%-22%,显著优于对比例4(50:50配比,电阻率0.032Ω·mm²/m、延伸率15%),说明60:40的配比可精准平衡导电性能、力学性能与成本;
[0106]表面处理方面:实施例1-3的焊接接头剪切强度39-42MPa,而无表面钝化和激光微刻的对比例5仅30MPa,且老化后性能变化率显著更高。证明表面适配性处理可提升焊接可靠性和耐老化性,适配TPcon组件的专用需求。
[0107]综上,本发明通过最优铜铝配比、界面强化、梯度退火、表面适配性处理的技术方案,既解决了纯铜基材成本高、重量大的问题,又克服了传统铜包铝界面薄弱、性能不稳定、焊接适配性差的缺陷,实现了成本、轻量化、性能的最优平衡。
[0108]以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
说明书附图(1)
声明:
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