权利要求书: 1.一种高致密电熔氧化镁制备方法,其特征在于,其具体工艺步骤如下:步骤一,将菱镁矿石破碎筛分得氧化镁原料;
步骤二,向氧化镁原料中加入占总质量0.01?0.5wt%的锆粉,及0.01?0.05wt%的氧化钙,所述锆粉粒度为0.1?100μm,在干燥条件下混合均匀得产物一;
步骤三,将碳块电极破碎筛分得电极原料;
步骤四,以质量百分数计,将10?15wt%的所述产物一铺在电熔炉底部,再将10?15wt%的所述电极原料铺在电熔炉中心底部圆柱电极周围的区域里;所述电熔炉三种火线电极随机命名为第一电极、第二电极和第三电极;
步骤五,打开交流电源,进行引弧,待电流稳定后,将30?50wt%所述产物一在电熔温度一下均匀加入到电极附近电熔处理;
步骤六,关闭步骤五交流电源,打开直流电源,待电流稳定后,将30?50wt%所述产物一在电熔温度二下均匀加入到所述电极附近,继续电熔处理;
步骤七,关闭电源,停止电熔,随炉自然冷却后出炉,得到所述电熔氧化镁。
2.根据权利要求1所述制备方法,其特征在于,所述氧化镁原料粒径≦80mm;所述电极原料粒径≦50mm。
3.根据权利要求1所述制备方法,其特征在于,步骤一所述菱镁矿石为氧化镁质量百分比含量≧45%的菱镁矿石。
4.根据权利要求1所述制备方法,其特征在于,步骤二所述干燥条件下相对湿度小于
5%。
5.根据权利要求1所述制备方法,其特征在于,步骤五所述电极为空心石墨电极或实心石墨电极。
6.根据权利要求1所述制备方法,其特征在于,所述第一电极、第二电极和第三电极数量比为2:1:1;所述电熔炉第一电极截面面积和电熔炉截面积比例范围:1?12:100;所述电熔炉第二电极或第三电极与所述第一电极横截面直径比例为1.2?2:1;所述第一电极与第二电极或第三电极距离满足a=kU;所述第一电极与相邻第一电极距离b=1.414kU;所述U为相邻电极电压;所述k取1?10之间任一实数。
7.根据权利要求1所述制备方法,其特征在于,步骤五和步骤六中电熔时间为1?12h。
8.根据权利要求1?7任一项所述制备方法,其特征在于,步骤七中冷却时间为24?48h;
电熔温度一为2000?2800℃;和/或,电熔温度二为2000?2800℃。
9.一种高致密电熔氧化镁
声明:
“高致密电熔氧化镁及其制备方法和制备装置” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)