本发明涉及一种静电放电失效验证方法,包括步骤:对待验证芯片进行失效分析,记录待验证芯片的损伤信息;获取与待验证芯片同批次的良品芯片的损伤信息,良品芯片的损伤信息根据良品芯片通过静电放电模拟损伤测试分析得到;将良品芯片的损伤信息与待验证芯片的损伤信息进进行对比分析,判断待验证芯片是否发生静电放电失效;当良品芯片的损伤信息与待验证芯片的损伤信息一致时,则待验证芯片发生静电放电失效。上述静电放电失效验证方法,在进行静电放电失效分析之前,对疑似静电放电失效的芯片进行静电放电失效验证,避免直接采用静电放电失效分析得到不准确的结果,提高了静电放电失效分析的可靠性。
本发明提供了一种净化装置和用于净化装置的净化能力失效判定方法,其中净化装置包括:壳体,壳体具有内部中空的腔体;壳体的一端设置有进气口,另一端设置有出气口;过滤件,设置在腔体内,位于进气口和出气口之间;至少一个粉尘传感器,设置在进气口处和/或出气口处,用于检测空气中的粉尘浓度;风机,设置在腔体中,位于腔体一端,靠近出气口一侧,用于驱动空气流动。本发明提供的净化装置,通过粉尘传感器直接对过滤件的净化能力进行分析,进而使得净化装置判定净化能力的准确率高,并且结构简单,提升了用户的使用满意度。
本申请涉及一种芯片失效点定位方法、装置及系统,芯片失效点定位方法包括获取芯片通电后发射的光信号;对光信号进行分离,输出多个特定波段的光辐射图像;将多个特定波段的光辐射图像与预置良品芯片结构形貌图比较以确定芯片失效点的波长信息。本申请可以实现对半导体芯片失效点波长的探测分析,在分析过程不会对芯片引入新的失效,提高了对半导体芯片失效分析的效率及准确性,可广泛适用于芯片设计、生产的测试环节,售后问题反馈等环节。
本申请涉及一种失效点的定位方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括:获取通过红外热成像装置对被施加测试信号的待测试芯片进行扫描,获得的所述待测试芯片表面的热成像图片,并对所述热成像图片进行分析,获得所述待测试芯片表面各点的相位角;获取通过图像扫描装置对所述被施加测试信号的待测试芯片进行扫描,获得的所述待测试芯片表面的三维图像,并对所述三维图像进行分析,获得所述待测试芯片表面各点的三维坐标;根据所述待测试芯片表面各点的相位角和三维坐标计算所述待测试芯片中失效点的三维坐标。采用本方法能够提高芯片内部失效点定位精度。
一种有效降低短弧氙灯漏气失效概率的方法,在短弧氙灯组装前先将由钨杆和过渡封接组件构成的组装部件进行测试检验:(1)选择若干个灯的组装部件,分别将其钨杆固定,然后对其过渡封接组件和钨杆的连接处、过渡封接组件中的不同种玻璃的各连接处施加大小不同的弯矩进行抗弯测试,对多次试验结果进行统计分析得出合适的弯矩值,要求该弯矩既不会将组装部件压裂,又不会将强度过低的部件用于灯的生产,使组装制成的灯发生漏气;(2)以步骤(1)中获得的合适的弯矩值为标准值,以该值的弯矩施加于要组装成灯的各个组装部件中过渡封接组件和钨杆的连接处、过渡封接组件中的不同种玻璃的各连接处进行抗弯测试,将不能承受该弯矩的组装部件筛选掉,仅使用能承受该弯矩的组装部件进行组装。
本发明公开了一种鉴定二次电池失效原因的方法,包括对失效电池的电极材料取样,用X射线衍射仪进行分析,得到电极材料样品的X射线衍射图谱,然后对衍射图谱进行晶相检索分析得到样品晶相组成,将样品晶相组成与鉴定标准对比,找到鉴定标准中与样品晶相组成对应的标准晶相,该标准晶相所对应的电池失效原因即为所述失效电池的失效原因。通过本发明公开的方法能对失效二次电池进行准确鉴定,即使由于产生爆炸的失效电池也能准确鉴定。
本发明公开了一种获取LED光源器件变色失效源头的方法及装置,其方法包括:获取LED光源器件上LED光源变色区域中变色斑点中的斑点元素及变色失效结果成分;对LED光源器件上的灯具零部件采用X射线能谱仪对零部件中的元素进行分析,基于斑点元素确定可导致LED光源变色的灯具零部件;对确定可导致LED光源变色的灯具零部件与含银验证材料一体置于密封腔体内进行零部件失效反应;判断每一零部件所对应的失效反应中的结果是否与LED光源的色变区域的变色失效结果相一致,确定所述灯具零部件为导致LED光源变色失效的源头。通过实施本发明,能够快速检测LED灯光源发生变色失效的源头,得到可能造成光源失效的源头。
本发明提供了一种降低锂电池控制板可靠性失效的SMT贴片方法,包括步骤:A1.印刷锡膏:把锡膏通过钢网丝印到PCB板上的预设印刷位置;A2.锡膏印刷质量检测:利用图像分析的方法检测锡膏的印刷质量;A3.器件贴装:用贴片机把元器件贴装在PCB板上的预设贴装位置;A4.回流焊接:用回流焊炉进行回流焊接,回流炉的排风管道风速度不小于10m/s;A5.焊接后检测:对组装好的控制板进行光学影像对比检测;A6.烘烤去离子:在烤箱中按照预设条件对控制板进行烘烤,以减少引脚间的有机类弱酸根离子;该方法可有效降低控制板上器件引脚间的有机类弱酸根离子含量,从而有利于降低锂电池控制板在“双85”可靠性试验中失效的风险。
本申请公开了一种应用于工业信息安全主板的USB失效恢复方法及系统,属于USB设备技术领域,恢复方法包括以下步骤:上位机周期性读取USB设备的设备信息;判断是否能正常读取USB设备的设备信息;若否,则上位机向MCU发送重启指令;MCU接收重启指令,并对重启指令进行分析;根据分析结果,MCU控制相应的USB设备以断电及断开通信信号的方式进行重启。本申请可自动检测失效的USB设备,并自动对失效的USB设备进行重启,更具安全性。
本发明公开了一种多串锂电池组保护失效的控制系统及方法,包括充电端口连接充电器,多串锂电池组与充电控制电路连接,检测电路和充电控制电路分别通过充电端口连接到外接的充电器,充电失效开关电路连接在充电端口与充电控制电路之间;获取电压检测电路检测到的电流电压值,分析在各种情况下充电控制电路是否失效,且当判断出充电控制电路失效时,输出失效信号到充电失效开关电路,充电失效开关电路断开,进而将所述充电端口与充电控制电路断开;同时,所述主控电路通过通信电路发送指令到外界设备,实现对充电控制电路的分析及保护,并能让用户及时的了解到情况,及时断电,避免发生危险。
本发明公开了一种应用审计失效识别方法,应用于云端,通过获取各个应用的更新日志数据以及审计日志量数据;通过大数据统计分析平台加载历史统计分析数据;分别针对每种应用进行归类计算,根据审计日志量数据以及历史统计分析数据,计算每种应用的日志变化趋势;根据日志变化趋势以及更新日志数据,判断应用审计是否失效。本申请是基于大数据统计分析的识别方案,通过采集各种应用的审计日志量,并结合历史数据分析日志的变化趋势,自动判断审计是否失效,整个过程由设备自动完成,无人力成本,且检测实时性非常好,提高了检测效率的同时,保证了检测的效果。此外,本申请还提供了具有上述技术优点的应用审计失效识别装置、系统以及可读存储介质。
本申请提供了一种晶圆测试数据的分析方法、平台、电子设备及存储介质,分析方法包括:获取多个批次的晶圆测试数据;根据目录分类信息区分晶圆测试数据,记录区分后的晶圆测试数据存储路径,并进行目录分类归档;根据目标目录分类信息,从目录中索引相应晶圆测试数据的数据路径,提取晶圆测试数据,并按照目标参数将晶圆测试数据合并成目标数据集;对目标数据集,进行视图构建及视图分析,和/或进行数据统计分析;本申请实现了晶圆测试数据的快速提取、分类、整合、分析,可提供有效的信息进行失效分析,改善设计和制造良率;利用目录索引晶圆测试数据文件路径的方式作为数据整合的基础,可有效提高数据整合、分析效率,并减少计算、运行负荷。
本发明属于电气工程自动化技术领域,公开一种保测合智四合一装置的硬件可靠性分析方法。该方法包括:构建保测合智四合一装置的信息链条和故障树;计算保测合智四合一装置各模块电子元器件的失效率;根据构成保测合智四合一装置各模块的电子元器件失效率和数量,计算保测合智四合一装置各模块的失效率;根据构成保测合智四合一装置各模块的失效率和数量,计算保测合智四合一装置硬件系统的失效率;基于保测合智四合一装置硬件系统的失效率计算保测合智四合一装置硬件系统的可用度,分析保测合智四合一装置的可靠性。本发明可以为含保测合智四合一装置的二次系统可靠性评估提供参考。本发明还提供一种保测合智四合一装置的硬件可靠性分析系统。
本发明公布了一种基于细观动态复杂应力监测的混凝土疲劳损伤分析方法,包括步骤:先制作一批试件,试件内布设9个空间应力传感器;通过单轴疲劳加载试验,确定SDF值最大时的传感器阵列;通过试验与模拟的方法,将优化的传感器阵列布设在试件或模型内,确定各受力模式下构件由加载到疲劳失效时的SDF—N曲线;在待测构件浇筑前将优化过的传感器阵列布设在构件中,通过传感器可检测出构件的受力模式,通过将监测的SDF值与试验或模拟的结果对比得出构件的疲劳损伤状态。本发明克服了以往混凝土应力或应变监测只能单向监测的问题,在较小的体积上实现空间六向动态应力监测,获取真实的细观应力状态,更准确地分析结构的疲劳损伤状态。
本发明公开一种滤网失效判断方法、滤网失效判断系统及机组设备,其中,该方法包括:检测电机的输入参数值、工况条件;根据所述工况条件确定与所述工况条件相对应的预设参数阈值;将所述输入参数值与预设参数阈值进行对比,根据对比结果确定滤网是否失效。也就是说,本发明仅需检测电机的输入参数值,并将该输入参数值与预设参数阈值进行对比,即可判断滤网是否失效,本发明不受使用环境和条件的影响,处理方法简单,并且判定滤网失效的稳定性和准确率较高,从而有效解决了现有空气净化器判定滤网的操作繁杂的问题。
本发明提出了的一种异步转移模式的失效管理系统及失效管理方法,在应用异步转移模式传输的数据传输网络中设置有用于监视VPC或VCC连接的保护组,所述保护组中包括工作连接和保护连接,工作连接不断检测缺陷指示,当检测到缺陷指示后由前向从工作连接的宿端点送出告警信号,其中将所述工作连接和保护连接的网元节点的属性设置为段属性,两个段属性节点之间的OAM流即为段属性的OAM流,即与保护组相对应的保护域和段属性的OAM流范围重复。本发明可保证保护域内的工作业务正常传送,AIS信元正确传送,并且保护域没有执行多余的保护倒换动作。
本发明涉及一种面向SoC的片上TDDB退化监测及失效预警电路,控制电路模块将Q1、Q0信号转化为开关状态控制信号输出至TDDB性能退化数字转化模块;TDDB性能退化数字转化模块内的第一MOS管电路的MOS管处于电源电压的应力状态下,第二MOS管电路的MOS管处于非应力状态下;第一MOS管电路和第二MOS管电路在开关状态控制信号的控制下,分别输出第一频率值和第二频率值至输出选择模块;输出选择模块将TDDB性能退化数字转化模块输出的第一频率值输出至计数器B中进行记录,或者将第二频率值输出至计数器A中进行记录;计数器模块通过比较第一频率值与第二频率值确定TDDB性能的退化量。本发明的结构简单,输出可监测TDDB性能退化过程,能够对TDDB性能进行准确预警。
本发明公开了一种监测试验箱内灯具是否失效的方法,包括如下步骤:采集试验箱内图像;获取采集到的所述图像;根据所述图像判断试验箱内的灯具失效状况。它是通过采集试验箱内的灯具图像,然后对所采集的图像进行处理,判断是灯具失效的状况。该方法能取代人工观察,节省人力物力,而且获得的结果将更加准确及时。
本申请提供了一种PCB板退化和失效时间的测试方法及实验设备,该测试方法包括如下步骤:(1)按照产品PCB板的规格,重新制作相同的板厚、板层、BGA焊盘大小、BGA夹线线宽大小、BGA焊盘与夹线间距、PCB工艺的PCB测试板;(2)将PCB测试板置于高温高湿环境下,根据CAF测试方法将所述PCB测试板进行高温高湿带电工作,使得PCB测试板BGA焊盘与夹线之间的绝缘电阻值发生变化;(3)使用电阻测试仪,对步骤(2)试验后PCB测试板的BGA焊盘与夹线绝缘电阻值的变化进行测试;(4)通过测量得到的BGA焊盘与夹线绝缘电阻值变化数据,推算出PCB板退化和失效时间。本发明主要验证电子产品PCB板BGA焊盘与夹线间距和BGA夹线线宽设计的合理性。
本发明公开了一种EVA胶垂直拉伸热失效温度测试方法,包括以下步骤:1)EVA胶涂布,得到EVA胶片;2)制作两个纸片,以纸片的中心线起取两条折痕线,两条折痕线之间形成待粘面,将EVA胶片的放置在两个纸片的待粘面之间,形成层叠结构;3)层叠结构加热压合,得到样品;4)将样品置于加热环境中,在样品的纸片的底部悬挂重物,进行梯度升温测试,直至样品中纸片与EVA胶片分离脱落,记录此时的温度,取若干组样品的平均值,得到该产品的EVA胶垂直拉伸热失效温度;5)若该温度≥限定温度,则说明该EVA胶水产品合格,否则不合格。用此测试方法来判断使用该包装胶产品是否会出现不良品爆箱的隐患,从而降低不良品率。
本实用新型公开一种材料热失效实验测试系统,包括保温罩,内部安装有第一加热板和第二加热板;换气机构,包括抽气装置和尾气处理装置,所述抽气装置的一端连接所述尾气处理装置,所述抽气装置的另一端通过气管道连通所述保温罩;加热机构,包括两个导热管道和加热装置,两个所述导热管道的一端穿过所述保温罩分别连接所述第一加热板和所述第二加热板,所述导热管道的另一端连接所述加热装置。本实用新型能够为电芯热失效测试提供准确稳定的测试温度,有助于提高测试结果的可靠性。
本发明涉及金属与保护层界面失效状态的在线监测的方法,在设计或制造的机械设备的金属基底的腐蚀敏感部位,预制监测界面腐蚀变化的探头,采用从设备原位上直接切割下来的相同材料为主体,加工成探头后再镶入机械设备金属基底的原位,探头与设备的金属基底为一体化结合,所述探头穿过设备壁,其尾部在金属设备外部预留有连接导线的插口,在需要采集界面信息时,用导线将所述插口与电化学工作站等能采集阻抗谱等电化学数据的监测终端设备相连接,并采用CR传输线模型解析电化学阻抗谱。监测能得到超前的信息,监测结果的解析具有通用性、一致性和客观性;增加了结果的可靠程度。
本发明公开了一种EVA胶垂直剪切热失效温度测试方法,包括以下步骤:1)EVA胶涂布,得到EVA胶片;2)制作两个纸片,制备纸片‑EVA胶片‑纸片的层叠结构;3)层叠结构加热压合,得到样品;4)将样品置于加热环境中,在样品的纸片的底部悬挂重物,进行梯度升温测试,直至样品中纸片与EVA胶片分离脱落,记录此时的温度,即为该组样品的EVA胶垂直剪切热失效温度,取若干组样品的平均值,得到该产品的EVA胶垂直剪切热失效温度;5)若该温度≥限定温度,则说明该EVA胶水产品合格,否则不合格。用此测试方法来判断使用该包装胶生产的产品是否会出现不良品爆箱的隐患,以得到符合生产需求的EVA胶,从而降低不良品率。
本申请涉及一种半导体模块焊层寿命失效的测试方法,包括:根据待测半导体模块的规格确定参考温度数据;所述参考温度数据是同规格的半导体模块所对应的温度标定数据;获取待测半导体模块的初始温度数据;所述初始温度数据是待测半导体模块在全新状态下进行温度测试的数据;对待测半导体模块进行温度测试,获取当前温度数据;根据初始温度数据、当前温度数据和参考温度数据,判断待测半导体模块的焊层寿命是否失效。本申请的测试方法在完整功率模块上进行,不需要将待测半导体模块从功率模块中拆下,省时省力;也不会发生由于拆解及安装导致的模块及其它部件损坏;本方案不需要热阻、超声波扫描等相关设备投入,降低测试成本。
本发明涉及一种纳星接管失效航天器姿态运动的分布式模型预测控制方法,首先建立纳星‑失效航天器组合体姿态运动模型,其次建立有限时域的纳星控制模型,最后设计纳星的分布式模型预测控制器。提出的分布式模型预测控制方法能够使各颗纳星独立进行控制量解算,实现对失效航天器姿态运动的自主分布式接管控制,无需中央处理单元,且能够方便地考虑纳星的控制幅值约束。多纳星的分布式模型预测控制方法相比集中式的控制分配,具有较好的容错性,且纳星可根据自身的能量消耗情况调整自身局部目标函数中的权值矩阵,以实现纳星间能量消耗的均衡,在通过多颗纳星实施失效航天器姿态运动接管的控制任务中具有重要应用价值。
本发明公开了一种测控保护装置的失效评估方法,在确定出待测试的测控保护装置的初始电气参数和经加速试验后的当前电气参数之后,就对加速实验后测得的测控保护装置的当前电气参数的准确性进行了判断,目的是得出符合要求的目标电气参数,剔除不符合要求的当前电气参数,考虑了采集测控保护装置数据时的随机误差;最后,依据初始电气参数和符合要求的目标电气参数实现对测控保护装置的失效性评估。因此,应用本评估方法,可以对实验后测得的电气参数的准确性进行判断,与传统的评估方式相比,提高了测控保护装置的失效评估准确性。另外,本发明还公开了一种测控保护装置的失效评估装置、设备及存储介质,效果如上。
本发明提出一种电迁移失效的剩余寿命预测方法,包括步骤:建立MOS器件的电迁移寿命模型;根据预设的正常工作条件下的电流密度和第一环境温度,以及电迁移寿命模型,获取正常电迁移失效的寿命T1;根据目标预兆点T2和第二环境温度,以及电迁移寿命模型,获取电流密度应力;将电流密度应力输入基于预兆单元的MOS器件电迁移失效预警电路;若基于预兆单元的MOS器件电迁移失效预警电路经过时间T3后输出高电平,则根据T1、T2以及T3,获取对应T2的电迁移失效的剩余寿命。本发明还提出一种电迁移失效的剩余寿命预测装置,可以提高预测MOS器件电迁移失效剩余寿命的可靠性,提高预测效率,降低成本。
本发明公开了一种高分子材料蠕变失效时间的预测方法,属于高分子材料领域。本发明所述高分子材料蠕变失效时间的预测方法针对聚丙烯、聚乙烯等应用在塑料制品上的半结晶高分子材料,无需进行具体结晶和结构参数的测量便可实现在不同温度和压力条件下高效、准确的蠕变失效时间预测。本发明还公开了所述高分子材料蠕变失效时间的预测方法在预测塑料制品使用寿命上的应用,其对于塑料制品的生产、使用、更换及补强时机等方面均具有重大意义。
本发明公开了一种电感器失效模式及耐压值的测试方法,所述电感器失效模式的测试方法包括步骤:S100、剪断失效的电感器的任意一根引线;S200、将耐压测试仪连接在电感器的两个电极上,并施加电感器的耐压值;S300、当耐压测试仪上显示的两电极间的阻值为正常值时,判定该电感器的失效不是由磁体的耐压失效引起的;当阻值为非正常值时,执行步骤S400;S400、剪断另一根引线,施加耐压值,若阻值恢复为正常值,为纵向耐压失效,否则为横向耐压失效。本发明通过剪断电感器的引线,测试绝缘电阻的变化来确定耐压失效模式,不需要将电感器的线圈及磁芯拆除分别对横向或纵向耐压失效进行确认,克服了测试过程中存在的偏差。
本发明公开的一种预测复合材料层合板失效强度的方法,包含以下顺序的步骤:步骤一、建立复合材料层合板有限元模型;步骤二、建立复合材料损伤本构模型;步骤三、基于ABAQUS‑VUMAT有限元用户动态子程序模块,使用FORTRAN语言编写用户自定义子程序实现提出的损伤本构模型,以求解应力、应变和损伤;步骤四、对有限元模型进行计算,预测复合材料层合板的失效强度。本发明利用ABAQUS‑VUMAT用户自定义子程序来数值实现所建立的三维损伤本构模型,该模型同时考虑了剪切非线性和损伤累积导致材料性能退化的影响,能准则预测复合材料的失效强度。
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