本发明涉及一种静电放电失效验证方法,包括步骤:对待验证
芯片进行失效分析,记录待验证芯片的损伤信息;获取与待验证芯片同批次的良品芯片的损伤信息,良品芯片的损伤信息根据良品芯片通过静电放电模拟损伤测试分析得到;将良品芯片的损伤信息与待验证芯片的损伤信息进进行对比分析,判断待验证芯片是否发生静电放电失效;当良品芯片的损伤信息与待验证芯片的损伤信息一致时,则待验证芯片发生静电放电失效。上述静电放电失效验证方法,在进行静电放电失效分析之前,对疑似静电放电失效的芯片进行静电放电失效验证,避免直接采用静电放电失效分析得到不准确的结果,提高了静电放电失效分析的可靠性。
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