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面向SoC的片上TDDB退化监测及失效预警电路

718   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:59:34
本发明涉及一种面向SoC的片上TDDB退化监测及失效预警电路,控制电路模块将Q1、Q0信号转化为开关状态控制信号输出至TDDB性能退化数字转化模块;TDDB性能退化数字转化模块内的第一MOS管电路的MOS管处于电源电压的应力状态下,第二MOS管电路的MOS管处于非应力状态下;第一MOS管电路和第二MOS管电路在开关状态控制信号的控制下,分别输出第一频率值和第二频率值至输出选择模块;输出选择模块将TDDB性能退化数字转化模块输出的第一频率值输出至计数器B中进行记录,或者将第二频率值输出至计数器A中进行记录;计数器模块通过比较第一频率值与第二频率值确定TDDB性能的退化量。本发明的结构简单,输出可监测TDDB性能退化过程,能够对TDDB性能进行准确预警。
声明:
“面向SoC的片上TDDB退化监测及失效预警电路” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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