本发明提出一种电迁移失效的剩余寿命预测方法,包括步骤:建立MOS器件的电迁移寿命模型;根据预设的正常工作条件下的电流密度和第一环境温度,以及电迁移寿命模型,获取正常电迁移失效的寿命T1;根据目标预兆点T2和第二环境温度,以及电迁移寿命模型,获取电流密度应力;将电流密度应力输入基于预兆单元的MOS器件电迁移失效预警电路;若基于预兆单元的MOS器件电迁移失效预警电路经过时间T3后输出高电平,则根据T1、T2以及T3,获取对应T2的电迁移失效的剩余寿命。本发明还提出一种电迁移失效的剩余寿命预测装置,可以提高预测MOS器件电迁移失效剩余寿命的可靠性,提高预测效率,降低成本。
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