本发明为了解决传统CVD生长技术晶界分布和形貌不可控的问题,提供了一种可控生长六角星形单层MoS 2的方法,利用纳米粒径的MoO 3作为前驱体,配合碳布,从而可控地生长大面积均匀分布的六角星形单层MoS 2,所述六角星形单层MoS 2具有确定位置的晶界,有望为大规模制作基于过渡金属硫族化合物的忆阻器领域提供新思路。
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