权利要求
1.可控生长六角星形单层MoS 2的方法，其特征在于，包括：将纳米MoO 3均匀分布在碳布表面，碳布放置于石墨槽的底部，所述石墨槽放置于一个双温区石英管的高温区中，石墨槽顶部倒扣有衬底； 通过加热将石墨槽的MoO 3沉积于倒扣在石墨槽顶部的衬底表面，利用一定流速的载气将低温区形成的硫蒸汽携带至高温区的衬底，使MoO 3硫化得到六角星形的单层MoS 2。2.如权利要求1所述的可控生长六角星形单层MoS 2的方法，其特征在于，所述纳米MoO 3的粒径尺寸为40-50 nm。 3.如权利要求1所述的可控生长六角星形单层MoS 2的方法，其特征在于，将纳米MoO 3均匀分布在碳布表面的方法包括：将纳米MoO 3乙醇分散液滴在碳布表面，通过对石墨槽进行烘烤使得乙醇挥发，纳米MoO 3均匀分布在碳布表面。 4.如权利要求3所述的可控生长六角星形单层MoS 2的方法，其特征在于，所述纳米MoO 3乙醇分散液经10 min以上的超声处理且MoO 3浓度为1-50 mg/mL，滴加至碳布表面的纳米MoO 3乙醇分散液的体积为20-40 μL。 5.如权利要求3所述的可控生长六角星形单层MoS 2的方法，其特征在于，通过将石墨槽放置于加热板上烘烤来使乙醇挥发，烘烤温度为60-70℃。 6.如权利要求1所述的可控生长六角星形单层MoS 2的方法，其特征在于，将0.8-1.2 g硫粉放置于石英舟内，石英舟放置于装载石墨槽的上游，低温区以8℃/min的加热速率升温至150-250℃来对硫粉进行加热，高温区以25℃/min的加热速率升温至700℃，再以10℃/min的加热速率升温至760℃来对石墨槽内的MoO 3进行加热从而进行硫化反应。 7.如权利要求1所述的可控生长六角星形单层MoS 2的方法，其特征在于，所述载气为氩气、氮气或氩氢混合气体，流速为100-150 sccm。 8.如权利要求1所述的可控生长六角星形单层MoS 2的方法，其特征在于，所述衬底为SiO 2/Si衬底，所述衬底在使用前依次使
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“可控生长六角星形单层MoS2的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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编辑：中冶有色网
来源：浙江大学杭州国际科创中心
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2025年06月06日 ~ 08日 
