江苏苏州有色金属分析检测技术理论与应用

热障涂层的裂纹扩展失效的检测方法及系统 960     

 0

本发明公开了一种热障涂层的裂纹扩展失效的检测方法，包括：获取热障涂层体系数据，根据热障涂层体系数据对热障涂层在部件水平上进行计算机建模；获取部件热机械载荷，计算得到当前氧化层的厚度；获取陶瓷层的材料参数以及氧化层与顶部陶瓷层界面的几何构型；根据获取的陶瓷层的材料参数以及氧化层与顶部陶瓷层界面的几何构型得到裂纹分布概率密度；根据裂纹分布概率密度计算得到典型主裂纹尺寸，如果典型主裂纹尺寸小于裂纹失效尺寸阈值，则裂纹扩展未失效，否则，失效。以统计分析方法获取热障涂层在随机使用过程中微观结构损伤特征的概率分布，涵盖了TBC失效的多种因素，能准确实时对当前TBC损伤状况进行判断，并达到工程可用的精度。

光伏组件PID失效现场测试方法及用于该方法的检测设备 858     

 0

本发明提供了一种光伏组件PID失效现场测试方法及用于该方法的检测设备，其中所涉及现场测试方法包括获取待测光伏组件边缘电池串的第一填充因子与光伏组件中间电池串的第二填充因子，并将所述第一填充因子与所述第二填充因子进行比较，若所述第一填充因子相对所述第二填充因子的减小幅度超过既定阈值，则判断该光伏组件出现PID失效；采用本发明所提供的光伏组件PID失效现场测试方法，通过对同一光伏组件边缘电池串与中间电池串的填充因子进行对比，并基于其差值幅度即可快速判定该光伏组件是否PID失效，本发明所提供的现场测试方法操作简洁，无需进行EL检测，适用于项目现场的光伏组件的快速检测。

机械系统的功能失效表征检测方法 963     

 0

本发明公开一种机械系统的功能失效表征检测方法，针对金属材质的机械系统，以阻值作为机械系统中零部件的显著失效判据，预先定义组成结构参数、广义载荷参数和零部件的强度性能参数，分析机械零件的主要失效模式，并根据主要失效模式确定对应的失效物理模型，并建立机械零件的不确定性输入及对应的分布类型，并通过重复试验，采取随机取样的方式模拟不同类型的机械失效模型，并根据不同的机械失效模型获取不同的失效场景参数并归总，根据各主要失效模式对应的随机响应及随机分布，建立树形图并获得其边缘概率密度，从而获得机械系统的失效概率特征，本发明的优点在于可以同时实现对机械系统失效的事先预测和快速检测。

钨极焊接失效预判检测装置及其检测方法 713     

 0

本申请公开了一种钨极焊接失效预判检测装置，其包括：工作台、电动底座、影像仪装置、操作机及控制装置，所述电动底座、操作机及控制装置安装在工作台的同一面，所述影像仪装置连接于电动底座的上方，所述电动底座能够驱动影像仪装置旋转运动，所述操作机能够夹持旋转焊枪，所述控制装置能够控制操作机和电动底座，所述影像仪装置用于拍照焊枪的钨极端部，从而实现自动反馈钨极端部是否失效。

伺服驱动器电流检测回路的失效检测方法 684     

 0

本发明公开了一种伺服驱动器电流检测回路的失效检测方法，包括：描述伺服电机驱动系统在dq旋转参考系的电压方程；基于电压方程和伺服驱动器的数字控制机制，根据电机的模型参数和上一拍的电压信号和电流信号预测当前采样时刻旋转坐标系下的电流信号；通过硬件对电流信号进行采集及信号调理后，将信号传送至MCU解析得到三相电流的瞬时值，将三相电流通过矢量角度变换后得到旋转坐标系下的电流瞬时值；根据电机预估的电流和实际采集到的电流的误差进行判定，当误差超过判定阈值时，电流检测回路的故障标志位置位；在故障置位后，封锁PWM波，显示相应的电流检测回路故障。由软件实现，简单可靠，不受到硬件方案的影响，保证系统安全稳定。

汽车CAN通讯失效检测系统及其检测方法 653     

 0

本发明公开了一种汽车CAN通讯失效检测系统及其检测方法，其通过CAN通讯数据分类计数，计量每组CAN通讯数据的无法正常接收的次数（即无法正常接收的周期数），当超过限定的次数后即认定为CAN通讯数据存在失效情况，然后故障识别单元即可根据类别或者分析对应CAN通讯数据的ID从而判断发生故障的汽车电子部件，进而在对其进行处理（比如超级电容由于CAN中断后无法取得真实数据，那就做出相应的处理，比如必须关闭发电机，防止由于数据不准确而使发电机盲目的充电，造成电容爆炸的事故）。如此，提高汽车的整体安全性，而且在汽车CAN通讯出现失效故障时可直观地将发生故障的元件位置反应给用户，简洁易行。

用于失效分析的金属软管 845     

 0

本发明公开了一种用于失效分析的金属软管，包括软管本体及连接所述软管本体的连接部，所述连接部包括连接所述软管本体一端的法兰连接件及连接所述软管本体另一端的卡扣连接件，所述卡扣连接件包括设于所述软管本体一端的卡孔结构以及与所述卡孔结构配合使用的卡扣结构，所述卡扣结构包括靠近所述软管本体一端的第一端部、远离所述软管本体一端的第二端部以及连接所述第二端部及所述第一端部的中间部，所述中间部的截面直径小于所述第一端部的截面直径，所述卡扣结构通过插置于所述卡孔结构中以实现所述卡扣结构与所述软管本体之间的快速连接。本发明中通过设置卡扣连接件使得金属软管能够与卡扣结构快速连接，从而提高了方便性。

半导体结构的覆盖层剥除方法及半导体结构失效分析方法 885     

 0

本发明提供了一种半导体结构的覆盖层剥除方法及半导体结构失效分析方法，涉及半导体结构失效分析技术领域，半导体结构的覆盖层剥除方法包括如下步骤：提供承载基板，将多个半导体结构固定连接在所述承载基板的上表面，且半导体结构的覆盖层位于主体的上方；对承载基板上的半导体结构的衬底进行离子注入，然后对离子注入后的衬底进行加热；去除破裂残渣；对剩余在主体上的衬底进行研磨，以去除衬底。本方案可以同时对多个半导体结构进行集中处理，离子注入与加热操作配合，使衬底开裂，达到去除衬底的绝大部分的效果，减少了对半导体结构的机械研磨时间，能够提高获取的主体的良品率。

基于Excel的失效模式影响诊断分析工具及方法 831     

 0

本发明属于功能安全技术领域，具体涉及一种基于Excel的失效模式影响诊断分析工具及方法，包括建于Excel中的运行工况模块、数据库模块、物料清单模块、安全机制模块、FMEDA永久性故障模块、FMEDA瞬态故障模块和报告模块；本发明通过在Excel中建立失效模式影响诊断分析工具，取缔了基于功能安全而全面开发的软件，稳定性高且对运行环境要求低。

闪存芯片失效分析夹具 751     

 0

本实用新型公开了一种闪存芯片失效分析夹具，包括：功能模块、功能模块底座、功能模块按压上盖和闪存芯片按压上盖，所述功能模块设置在功能模块底座上，所述功能模块按压上盖设置在功能模块上方，所述闪存芯片按压上盖设置在功能模块按压上盖上方，所述功能模块包括芯片底座固定上盖、芯片底座、弹簧针导向衬板和功能模块组合上盖，所述芯片底座设置在功能模块组合上盖上，所述弹簧针导向衬板设置在芯片底座下方，所述弹簧针导向衬板上设置有延伸至芯片底座内的弹簧针，弹簧针与闪存芯片引脚一一对应。通过上述方式，本实用新型所述的闪存芯片失效分析夹具，免去芯片的植球返工环节，提高了芯片失效分析的效率，安装快捷。

用于芯片失效分析中定位的背面观察基座及使用方法 730     

 0

本发明提供了一种用于芯片失效分析中精确定位的背面观察基座，其包括金属支架，所述金属支架的中心设有中心孔，在该中心孔中安装有玻璃片，在所述玻璃片上还设置有用于提供基准坐标的两个特殊标记，所述两个特殊标记为蚀刻于或粘贴于所述玻璃片上的，其位置为所述背面观察基座的玻璃片上的任何位置且可被设置为相同或者不同的形状。由此，在失效分析分析中，在PEM/OBIRCH采用背面模式定位异常点时能够在正面位置准确找到并记录异常点位置。本发明还涉及采用该背面观察基座在芯片失效分析中进行精确定位的方法。

倒装芯片中失效结构的位置标记方法以及分析方法 906     

 0

本申请公开了一种倒装芯片中失效结构的位置标记方法以及分析方法，位置标记方法包括：获取底部填充层中的失效结构在互连结构的阵列中的位置信息，位置信息以阵列的行列数表述；去除至少部分基板以形成暴露于外部的标记面，其中每个互连结构背离芯片的一端皆位于标记面上；在标记面上对位置信息所指示的位置做上标记。本申请提供的倒装芯片中失效结构的位置标记方法以及分析方法，通过去除至少部分基板以形成将阵列中每个互连结构上背离芯片的一端皆暴露于外部的标记面，然后根据失效结构的位置信息在标记面上进行标记，实现了在倒装芯片上对失效结构进行精准标记的目的，进而降低了获取失效结构的横向截面的操作难度。

基于设备失效数据分析的产品可靠性提升方法和系统 788     

 0

本发明公开了一种基于设备失效数据分析的产品可靠性提升方法，包括以下步骤：S1、采集核电设备的基础信息和故障信息；S2、根据基础信息和故障信息，进行故障模式分析，确定每个类型核电设备的故障模式和对应的失效部件；S3、根据基础信息和故障信息，进行设备可靠性计算和部件可靠性计算；S4、根据故障模式分析结果和来自经验反馈系统的数据，进行共性问题分析，生成产品可靠性提升报告。本发明以实际失效数据作为依托，可以更系统性分析出产品存在的问题与改进方向，比现有的依托经验反馈进行改进的方式，更加精确，可以作为设备制造商产品质量改进的基础，同时也可为设备选型及电厂成本预算提供依据。

用于TEM样品失效性分析的放置装置 645     

 0

本实用新型公开了一种用于TEM样品失效性分析的放置装置，包括样品杆、与样品杆固定连接的样品杯和用于放置待测样品的金属网，金属网包括环形框和固定在环形框中间的金属网格，样品杯包括与样品杆固定连接的杯下部、铰接在杯下部上的杯上部，杯上部的一端通过铰接件铰接在杯下部的一端，杯上部的中部具有圆形的上开口，上开口的上端具有环形的卡置部，卡置部的底面上具有环形的插接部，杯下部的中部具有下开口，下开口的下端具有环形的支撑部，杯下部的上端面上具有与样品杆的水平轴线平行的水平标记线；环形框上具有与杯上部的插接部相配合的环形凹槽。本实用新型具有在费用低且使用效率高的情况下就可以获得TEM样品水平图像的优点。

基于深度度量学习的EDA电路失效分析方法 637     

 0

本发明公开了一种基于深度度量学习的EDA电路失效分析方法，包括步骤：一、根据原始分布对EDA电路样本进行蒙特卡罗采样，生成蒙特卡罗采样样本，并进行蒙特卡罗仿真，得到失效仿真结果；二、通过步骤一的蒙特卡罗采样样本和失效仿真结果，训练一个能够将失效样本区分出来的深度度量学习模型；三、对待进行失效分析的EDA电路，采用蒙特卡罗采样方法生成足够多的失效分析样本，并利用步骤二中训练的深度度量学习模型对样本进行筛选，筛选出可能失效样本；四、对可能失效样本进行SPICE电路仿真，得到失效的EDA电路并计算出失效率。本发明仿真效率高，可靠性高，在先进工艺大规模电路的仿真分析中具有明显的优势。

基于失效评定图的未爆先漏分析方法 712     

 0

发明涉及一种基于失效评定图（FAD）的未爆先漏（LBB）分析方法，包括以下步骤：（a）服役状态分析；（b）初始裂纹选择；（c）载荷分析；（d）线弹性应力强度因子（SIF）计算；（e）极限载荷分析；（f）评定点坐标计算；（g）FAD选择；（h）评定点绘制；（i）弹塑性SIF计算；（j）J积分计算；（k）不同裂纹的J积分计算与拟合；（l）结构失效临界裂纹尺寸计算；（m）结构临界泄漏裂纹尺寸计算；（n）LBB准则评估，本发明基于FAD理论，克服了现有规范中弹塑性分析理论基础不足、现有J积分计算手册适用范围有限、有限元建模分析过程复杂，及计算结构失效临界裂纹尺寸和结构临界泄漏裂纹尺寸过程复杂等缺点，提供了一种基于FAD的LBB分析依据。

芯片结构的散热层缺陷失效分析方法 1123     

 0

本申请公开了一种芯片结构的散热层缺陷失效分析方法，基于芯片结构的声学图像和三维图像确定散热层的第一厚度及其第一缺陷类型和尺寸；基于芯片结构研磨样品的扫描图像确定散热层的第二厚度及其第二缺陷类型和尺寸；对比所述第一厚度及其第一缺陷类型和尺寸和所述第二厚度及其第二缺陷类型和尺寸，确定分析结果。可以在不破坏芯片结构的情况下测算散热层参数及定性失效模式，同时为后续破坏性分析提供数据对比，使得缺陷失效分析的准确性较高。

半导体芯片的失效分析方法 966     

 0

本发明公开了一种半导体芯片的失效分析方法，包括：切割半导体芯片制备具有横截面的样品；对样品的衡截面进行研磨抛光、水洗并干燥样品；配置化学染色液；将抛光好的样品放入所述化学染色液中进行染色处理；对染色处理后的样品进行清洗并干燥样品；将样品放置在扫描电镜中进行检查并进行显微摄影，进行失效分析。本发明在对样品进行研磨抛光之后，还采用化学染色液对样品表面进行化学处理，最后才使用扫描电子显微镜对掺杂物分布和结面轮廓进行二维描述，并且能够以较高的空间分辨率精确描绘掺杂剖面，从而可以对样品的失效节点进行详细而准确的分析。

半导体晶圆制造晶体管栅极硅氧化层失效的综合分析方法 722     

 0

本发明提供了一种半导体晶圆制造晶体管栅极硅氧化层失效的综合分析方法，所述综合分析方法包括：（Ⅰ）采用电测量分析方法对存在栅极硅氧化层失效的样品进行失效定位；（Ⅱ）采用化学分析方法对样品进行失效机理模型判断，判断确定栅极硅氧化层的失效原因是杂质污染，还是等离子体诱导损伤；（Ⅲ）如果失效机理模型是杂质污染，则采用飞行时间二次离子质谱对有栅极硅氧化层失效的样品进行污染元素定性探查；随后通过动态二次离子质谱对探查到的的污染元素进行精准定量测量。本发明采用更多的分析技术、仪器和方法联合应用于失效分析，能够快速准确地确定晶体管栅极硅氧化层的失效机理和模型，以便失效分析工程师提供更精准的分析报告。

三维存储器失效分析样品制备方法 702     

 0

本发明涉及集成电路的失效分析技术领域，且公开了一种三维存储器失效分析样品制备方法，包括以下步骤：步骤一、对封装进行电测试，根据电测试结果确认失效位置，并记录下失效的log，使用封装开封技术去除待分析芯片上方的塑封料(EMC)及芯片。本发明利用实时图像采集及拼接技术，将真实芯片与设计图纸进行比对，并进行位置修正，确定失效精确位置后，缩小目标区域，通过阶梯开口方式，精确掌握垂直层数，最终实现快速定位及分析，通过对实际芯片的位置修正和定位，能够更准确及快速的实现失效位置确定，大大缩减了误判的发生率，并且由于定位准确，失效目标区域可以尽可能缩小，提高了分析操作效率。

电脑主板失效分析方法 893     

 0

本发明提供了一种电脑主板失效分析方法，该方法包括以下步骤：A、对样品进行外观检查，查看不良品表面是否有磨损、开裂等明显异常现象；B、对不良品进行失效点定位；C、使用良品对定位的失效点进行模拟验证；D、将不良品制成失效点位置的金相切片，并使用聚焦离子束系统对金相切片表面进行微切割；E、使用扫描电镜和能谱分析仪对金相切片进行分析，找出失效原因；F、模拟失效环境，对失效机理再次进行验证；G、综合分析，给出结论。本发明有如下优点：本发明分析方法步骤简单，操作方便，有效提高失效分析的速度和准确度，经过初步分析、初步验证、再次分析以及再次验证，从而保证了失效理由的可信度，提高了失效分析结果的信服度。

压力容器失效的分析方法 688     

 0

本发明公开了一种压力容器失效的分析方法，包括以下步骤：S1、制定检验方案：确定压力容器的相关工作参数，结合相关工作参数确定失效的具体内容和形成原因，制定因素分析表，并对应不同因素增加检测方案；S2、方案分析：分析造成失效的不同因素间的相关性，对关键因素进行标记，分析造成因素的原因，记录相关联的工作参数及产生时间、产生频率，同步的制定风险防御方案；S3、失效分析前检查：结合压力容器的基本信息以及设备运行的实际情况，初步分析压力容器是否符合特定工作状态下各项指标要求。本发明对压力容器存在的潜在风险进行及时防控，实现高效排除不同环境下存在的隐患，有效提升压力容器检验效果与质量，适用于工业相关产业。

车载直流降压芯片失效分析方法 816     

 0

本发明公开了一种车载直流降压芯片失效分析方法，包括以下步骤：步骤1)外观检查；步骤2)良品与不良品I/V测试对比分析；步骤3)无损探伤对比分析；步骤4)开封内部检查；步骤5)EMMI对比分析；步骤6)汇总记录，定位车载直流降压芯片失效位置。本发明一种便捷、高效的分析方法，能够快速定位芯片失效位置，并准确分析出失效应力来源。

半导体器件的失效分析方法及其设备 857     

 0

本发明揭示了一种半导体器件的失效分析方法及其设备，该方法包括以下步骤：S1：对半导体器件进行失效位置分析确认失效信息；S2：确认目标位置的观测对象包括单个对象还是多个对象；S3：如确定观测对象包括单个对象，则检测单个对象的X和Y方向边界尺寸和方向；S4：如确定观测对象包括多个对象确认观测单个对象，检测单个对象的X和Y方向边界尺寸和方向；选择对应单个对象的电路布局图，根据检测到的边界尺寸和方向，对单个对象的观测画面与其电路布局图进行匹配，使单个对象在观测画面上各个组件与其电路布局图上的位置一一对应。该方法可将观测画面的位置与实际电路布局图上的位置匹配，快速找到观测对象目标，提高了失效分析效率。

PCBA失效分析方法 1024     

 0

本发明公开的属于PCBA失效分析方法技术领域，具体为一种PCBA失效分析方法，包括以下步骤：S1：对PCB板进行外观光学检查，判断其是否有污染、开裂或烧焦现象；S2：对步骤S1中判断有污染的PCB板通过红外光谱分析判断其是否有机物污染，若有，检测出有机物种类；通过元素分析判断其是否有无机物污染，若有，检测出无机物种类；S3：对步骤S1中判断有污染或开裂的PCB板进行电性能检测，判断其是否有电性异常；本发明的PCBA失效分析方法对PCB板的失效分析全面，本发明通过外观光学检查、污染物检测、电性能检测、X‑RAY射线检测、金相显微镜检测和SEM+EDS分析，能够有效的检测处PCB板的失效原因。

失效分析中分析晶格缺陷的TEM样品制备新方法 650     

 0

本发明公开了一种失效分析中分析晶格缺陷的TEM样品制备新方法。该方法使用手动研磨代替聚焦离子束来制备TEM样品，使样品中的晶格缺陷在极小或极浅的情况下均能被发现，而且不受晶格缺陷的方向的影响。极大地促进了晶格缺陷的发现与观测，准确率高，对TEM样品的制备的研究具有重要意义。

液晶面板测试模组及液晶面板失效模式分析方法 1102     

 0

一种液晶面板测试模组及一种液晶面板失效模式分析方法,其中液晶面板测试模组包含:驱动电路、测试电路以及若干个开关。其中驱动电路包含:若干个信号输入线及若干个信号输出线,信号输出线包含第一信号输出线群组、第二信号输出线群组和第三信号输出线群组;测试电路包含第一测试信号线、第二测试信号线和第三测试信号线,分别与第一信号输出线群组、第二信号输出线群组和第三信号输出线群组电连接;以及若干个开关分别位于第一测试信号线、第二测试信号线和第三测试信号线与每一信号输出线之间。

电子产品的可靠性失效分析检测方法 893     

 0

本发明公开了一种电子产品的可靠性失效分析检测方法，包括以下步骤：S1、在电子产品元件上安装温度、电流和电压监测装置；S2、将电子产品元件额定范围输入分析检测单元并作为第一数据；S3、温度、电流和电压监测装置对电子产品元件实时数据检测并上传；S4、上述数据在分析检测单元中与额定范围值的最大值进行比较计算，超出额定值关闭电子产品元件；S5、将失效数据通过失效数据显示单元进行显示。本发明分析检测方法简单明了，通过数次检测即可得出影响电子产品元件可靠性的主要原因，并针对性的进行改进，提高电子产品元件使用的可靠性，延长电子产品元件使用寿命，适合进行推广。

电容失效分析检测方法 744     

 0

本发明涉及一种电容失效分析检测方法，包括如下步骤：外观检查；内视检测，通过探伤检测设备对失效电容进行失效点定位，并确定失效点位置；初步确认失效原因，根据失效点位置列出可能的失效原因；模拟试验，根据失效原因对良品电容进行针对性的通电模拟，验证可能的失效原因，并将良品电容在失效损毁后的失效点情况与失效电容的失效点位置进行比对，确定失效原因；金相检测，将失效电容制成失效点位置的金相切片并在金相显微镜下观察确认，再使用扫描电镜和能谱分析仪对金相切片进行扫面分析，验证确定电容失效损毁原因并给出分析结论。本发明能够快速、高效地确认电容失效的根本原因，通过电容失效分析实现对于电子系统的工作可靠性的提高。

新型集成电路失效分析检测方法 713     

 0

本申请实施例涉及一种新型集成电路失效分析检测方法。根据本申请的一实施例，新型集成电路失效分析检测方法包括：对集成电路组件进行封胶以得到包含新型集成电路的胶柱体，其中集成电路组件包括晶片和衬底，衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，晶片位于衬底的第一表面上；以及从靠近衬底的第二表面的胶柱体的底面进行研磨至暴露衬底。本申请实施例提供的新型集成电路失效分析检测方法可有效解决传统技术中遇到的问题。