本申请公开了一种倒装
芯片中失效结构的位置标记方法以及分析方法,位置标记方法包括:获取底部填充层中的失效结构在互连结构的阵列中的位置信息,位置信息以阵列的行列数表述;去除至少部分基板以形成暴露于外部的标记面,其中每个互连结构背离芯片的一端皆位于标记面上;在标记面上对位置信息所指示的位置做上标记。本申请提供的倒装芯片中失效结构的位置标记方法以及分析方法,通过去除至少部分基板以形成将阵列中每个互连结构上背离芯片的一端皆暴露于外部的标记面,然后根据失效结构的位置信息在标记面上进行标记,实现了在倒装芯片上对失效结构进行精准标记的目的,进而降低了获取失效结构的横向截面的操作难度。
声明:
“倒装芯片中失效结构的位置标记方法以及分析方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)