一种LED失效检测系统,包括电源模块、开关单元、LED灯组、电压检测单元、控制单元和输出滤波单元,所述电源模块通过稳压单元分别连接开关单元、LED灯组、电压检测单元、控制单元和输出滤波单元,所述输出滤波单元的输出端连接控制单元的输入端,控制单元的输出端连接开关单元的输入端,开关单元的第一输出端连接LED灯组,第二输出端连接输出滤波单元;所述LED灯组通过电压检测单元连接控制单元。本发明能够有效进行发光二极管LED失效检测,可以确保无论LED是处于开路失效状态还是处于短路失效状态,都能有效地统计出发光二极管阵列中LED的失效个数。
本发明提供了一种显示面板、显示终端及检测显示面板失效的方法,解决了显示装置在可靠性验证过程中,无法判断导致显示失效的具体原因的问题。包括:发光层;失效检测层,包裹在所述发光层的表面,构造为检测所述发光层的失效是否由外部环境介质入侵所导致;以及封装层,包裹在所述失效检测层表面,构造为保护所述发光层。
本发明提供了一种失效锂离子电池负极材料的克容量检测方法,包括下列步骤:拆解失效锂离子电池并取出负极片;在负极片的非边缘部滴淋擦拭溶剂并擦拭开,获得滴淋区域单面、四周双面的负极片;进行极片冲裁,获得单面的负极单元片;将所述负极单元片组装成扣电后,测试其克容量。该克容量的检测方法步骤简单且结果准确,能够为锂离子电池的失效分析提供帮助。
本发明涉及一种雷达失效自动检测方法,包括以下步骤:采用带指向地面波束的收发天线,使收发天线在指向正前方探测区域的同时形成指向地面方向的波束,该波束可以使雷达探测到地面引起的反射回波;反射回波发送至雷达接收单元,信号处理单元再进行分析,并提取地面反射信号的距离、速度、幅度信息;信号处理单元提取车身信息,并通过检测算法计算判断当前雷达性能是否发生变化。本发明借助带有对地探测波束的天线,可以实时稳定的检测出毫米波雷达功能是否失效,以保证雷达功能安全,对雷达失效检测具有稳定可靠、低成本的优点,具有一定的实用性和推广价值。
本发明涉及车辆检测技术领域,具体提供一种车辆电驱动系统的部件失效检测系统及换电站,旨在解决低成本且可靠地对电驱动系统进行失效检测的问题。本发明的部件失效检测系统包括信号采集装置和信号分析装置,部件失效检测系统的信号采集装置设置于车辆底部的悬空区域内,可以在电驱动系统按照预设工况运行的过程中进行声音信号采集,信号分析装置可以对声音信号进行信号分析,以确定车辆电驱动系统的机械部件是否发生失效。通过这种方式,无需为每辆车设置额外的部件监控系统对电驱动系统进行部件失效检测,只要车辆处于悬空状态如对车辆换电使车辆悬空时就可以对车辆进行部件失效检测,从而能够及时检测出是否发生部件失效。
本发明的目的是提出一种检测准确、应用范围广的LED转向灯检测、示警装置及其检测、示警方法。该装置包括车身控制模块和与车身控制模块相连的转向灯控制模块,所述转向灯控制模块输出电流至LED,驱动LED发光,所述车身控制模块与汽车仪表盘的转向指示灯连接,特别是所述转向灯控制模块内设置有可检测输出电流的电流检测单元、存储标准状态温度-电流数据的存储单元和数据处理单元,转向灯控制模块还连接有设置在LED转向灯内部的温度传感器。本发明的LED转向灯失效检测、示警装置及其检测、示警方法检测准确,同时无须LED转向灯内部的LED单纯串联,保留了LED的串、并联混合的优势,而且可以根据LED损坏情况作出不同的提示,具有很高的实用价值。
本发明提供的电弧检测装置失效判定方法及电弧检测装置,应用于电力电子技术领域,该方法在电弧检测装置上电且自检通过后,获取电流采样信号,然后判断所得电流采样信号是否满足预设自检条件,如果判定检测结果满足预设自检条件,再次进行自检,如果电弧检测装置未通过再次自检,则可以判定电弧检测装置失效,在根据电流采样信号进行初步判断的同时,同步对电流采样信号进行电弧检测。本发明提供的方法,只有两次判断均判定电弧检测装置失效的情况下,才最终判定电弧检测装置失效,并且,对电流采样信号进行电弧检测的操作是同步进行的,不受失效判定过程的影响,可以有效提高电弧检测装置的可靠性,确保光伏发电系统的运行安全。
本发明公开了一种基于故障树分析的共因失效可靠性分配系统,本发明的一次可靠性分配主要为三步:在第一步根据专家知识库对系统中需要改进可靠性的关键设备和部件进行初步的可靠性分配;第二步根据用户输入修改系统模型和专家知识库,形成最终系统模型和最终的关键设备和部件列表;第三步对最终的关键设备和部件的可靠性进行循环微调,直到系统可靠性完全满足用户要求。本系统以含共因失效的故障树分析方法为主,结合了专家知识库方法,从而能对含共因失效的复杂系统进行有约束的可靠性分配。
本文描述了用于分析晶圆的失效指标的方法和设备以及计算机可读介质。在此描述的用于分析晶圆的失效指标的方法包括:针对多个批次的晶圆,分别确定制造工艺的多个工序的晶圆随机化标识符与表示失效程度的失效指标之间的拟合关系;针对所述多个工序,分别基于与所述多个批次中的参考批次的晶圆相对应的拟合关系和与所述多个批次中的其余批次的晶圆相对应的拟合关系之间的比较,确定相应的相似度值;以及基于与所述多个工序分别相对应的所述相似度值,确定所述多个工序中的至少一个工序的所述晶圆随机化标识符与对应于所述失效指标的失效问题之间的相关性。
本实用新型公开了一种透明封装半导体的失效分析工装,用于进行透明封装半导体元件的失效分析,包括容器槽和定位装置;所述容器槽内部装有溶液,所述溶液密度可调;所述定位装置用于固定透明封装半导体元件,设置在所述容器槽内部,并浸泡在所述溶液中。该工装可清晰观察到半导体元件内部的结构,达到无损分析的目的;且结构简单,容易操作。
本申请涉及一种失效分析方法、计算机设备和存储介质。失效分析方法包括:获取目标芯片颗粒内的各IO通道的失效数据,目标芯片颗粒包括m个物理模块,各物理模块包括若干IO通道,m为大于等于2正整数;将失效数据进行拆分,形成对应各物理模块的m组模块失效数据;根据各模块失效数据,判定各物理模块的局部失效类型;根据各物理模块的局部失效类型,判定目标芯片颗粒的存储失效类型。本申请能够有效提高失效分析效率。
本发明公开了一种汽车用高强度钢材撞击失效分析判定方法,包括步骤:S1、获取试验材料的弹塑性力学性能数据;S2、进行仿真分析;S3、根据仿真分析结果判定试验材料是否存在失效风险;S4、对试验材料进行试验,获得试验材料在不同应力状态下的断裂试验数据,根据断裂试验数据标定仿真参数,开展失效分析;S5、得出判定断裂结论;S6、优化车身结构;S7、进行整车试验。本发明的汽车用高强度钢材撞击失效分析判定方法,采用GISSMO应力三轴参数分析方法,可以同时反应体积和形状参数的变化,可以提升分析结果与实际工况一致性的判定,可以提高结果判定准确度。
本申请实施例提供了一种锂电池失效分析方法、装置、电子设备和存储介质,其中,锂电池的正极材料为NCA,负极材料为硅碳。该方法包括:根据失效锂电池的电池容量与电压的一阶导数曲线及新的锂电池的电池容量与电压的一阶导数曲线,计算失效锂电池正极材料的衰减率及负极材料的衰减率;并对正极材料的衰减率及负极材料的衰减率进行分析,即可获得失效锂电池在快速充电及放电过程中电池容量减少的原因,其中,失效锂电池通过对另一新的锂电池循环第一预设次数的快速充电及放电得到,在分析出NCA正极+硅碳负极电池的失效原因后,便于为电池设计人员对电池的设计和改进提供理论依据。
本发明提供一种半导体失效分析样品的制备方法,其包括如下步骤:沿预设方向,在待分析样品的选定区域表面形成多个分裂点,所述分裂点呈一条直线排列;以所述分裂点所在直线为分裂线,分裂所述待分析样品,暴露出所述待分析样品的侧面截面,形成所述半导体失效分析样品。本发明在待分析样品表面形成分裂点,以所述分裂点为分裂起始处,进行分裂操作。采用本发明的制备方法能够制备出结构尺寸准确的失效分析样品,并且能够在低成本的前提下,提高制样成功率,且不会破坏样品。
本发明涉及一种晶圆研磨方法及晶圆失效分析方法。所述晶圆研磨方法包括如下步骤:提供初始晶圆,位于所述初始晶圆的边缘的裸芯片中具有测试地址;形成重组晶圆,使得具有所述测试地址的裸芯片位于所述重组晶圆的中部;进行至少一次如下循环步骤,所述循环步骤包括:于所述重组晶圆暴露的当前层上形成保护层,所述保护层至少位于所述测试地址上方;研磨所述重组晶圆中未被所述保护层覆盖的所述当前层;去除所述保护层和所述保护层下方残留的所述当前层;判断所述测试地址是否暴露,若否,则以暴露的所述下一层作为下一次循环步骤的当前层。本发明能够使得测试地址能够完整、平坦的暴露,减少甚至是避免了栅极本体的漏电问题。
本发明涉及产品或过程的失效分析技术领域,具体涉及一种实现功能和失效关联的FMEA分析方法,包括如下步骤:输入上级要求并界定分析的范围和目的;创建产品“结构树”,并生成产品“结构树”的功能;利用功能失效矩阵识别功能间的上下级传递关系并关联,生成功能网;在已识别的功能关联基础上识别失效内容并关联,生成失效网;根据功能和失效关联后完成风险分析和优化;输出基于功能和失效关联的DFMEA结果。本发明使得逻辑清晰且操作简单。
本实用新型公开了TSV圆片级封装MEMS芯片的失效分析装置,该装置由显微镜、反光盒和探针系统组成;反光盒由外壳、反光镜和透明玻璃组成,反光镜包括两个互成90°角的左反光镜和右反光镜,左反光镜和右反光镜都是镜面朝上地置于外壳中,左反光镜和右反光镜与外壳底面夹角都为45°,透明玻璃覆盖在外壳顶部开口处;探针系统包括探针、探针臂和探针座,探针通过探针臂与探针座连接,探针上连接导线,导线与测试装置或电源连接;反光盒置于显微镜的载物台上,显微镜的物镜位于反光盒上方。该装置只需特制一个反光盒,利用反光盒内反光镜改变光线的方向,不需要背面显微镜镜头,就可以观察到MEMS结构的运动情况,分析MEMS芯片的失效机理,结构简单,效果好。
本发明公开了一种芯片可持续失效分析方法,包括:1)将对准卡(3)套设于芯片(2)的外部并将所述芯片(2)固定于所述基座(1);2)将针托架(4)上测试针的一端设置于所述芯片(2)的顶部,接着将缓冲框(5)覆盖所述对准卡(3)的顶部以使得所述测试针、对准卡(3)相接触,然后将所述测试针的另一端通过连接孔(6)固定于所述基座(1)上;3)将缓冲垫(7)分布于所述缓冲框(5)的两侧,接着将固定卡(8)设置于缓冲垫(7)的顶部以使得所述缓冲垫(7)固定于所述基座(1)的顶部。该芯片可持续失效分析方法能够重复地对芯片进行失效分析,同时成本低。
本发明提供一种逻辑芯片漏电失效分析方法,属于半导体制造技术领域,逻辑芯片漏电失效分析方法包括:提供一设置有至少两个栅极结构的晶体管结构的测量样品,所述测量样品中的晶体管结构存在亮电压对比缺陷;通过给一部分的所述栅极结构施加工作电压,并给剩余部分的所述栅极结构提供0电压,以对所述测量样品进行纳米探针电性测试,从而定位出所述晶体管结构具体的漏电失效位置,实现了逻辑芯片漏电失效分析时的精确定位,其有利于找到引起漏电失效问题的真因,从而有利于在制程优化时得到有效的优化方法。
本发明的一种软包锂离子电池失效分析方法,可解决现有的对锂离子电池失效分析方法较为单一,不能充分、全面的说明锂离子电池的失效机理的技术问题。通过记录电池失效前容量Q0和失效后容量Q1;把电池剪开,重新注入电解液后,抽真空再次封装,测试重注液电池容量Q2以及重注液后电池深度放电容量Q3;在充满惰性气体下拆解电池,通过原子吸收测试负极失效前、后锂含量分别为Wn0%和Wn1%;在充满惰性气体中组装成正极扣电,测试失效前、后正极稳定克容量分别为C0和C1;根据上述步骤计算影响因素容量。本发明能够清楚、直观地得到各个因素对锂离子电池失效的影响,分析其影响失效的主要因素,有针对性对电池进行改善,有利于提高电池的循环以及安全性能。
本发明公开了一种芯片的失效分析方法及系统,其中所述芯片的失效分析方法至少包括:提供一失效芯片,在失效芯片上标记出失效点的位置;根据失效点到失效芯片的侧边的距离,在失效芯片上设置取样图形,使失效点的投影位于取样图形的中央;沿着取样图形的边线,分裂失效芯片,获得失效图形芯片和多个辅助图形芯片;拼接失效图形芯片和辅助图形芯片,获得组合图形芯片;以及研磨组合图形芯片,至失效点露出,并通过探针测试失效芯片的失效区域。本发明提供了一种芯片的失效分析方法及系统,能够提升芯片失效分析的准确性和分析效率。
本发明公开了一种失效芯片的分析方法,属于芯片检测领域。所述解封方法包括:裁剪部分失效芯片,以减少所述失效芯片上封装膜的表面积;将所述失效芯片放置于第一酸性溶液内,所述第一酸性溶液的温度为20℃~60℃;所述封装膜去除后,将所述失效芯片放置于第一有机溶剂中清洗;将所述失效芯片放置于第二酸性溶液内;对所述第二酸性溶液进行加热,且加热温度为50℃~150℃;将所述失效芯片放置于第二有机溶剂中清洗;以及将所述失效芯片置于显微镜下进行检测。通过本发明提供的一种失效芯片的分析方法,可提高失效芯片的分析可靠性。
本发明涉及基于大数据分析的设备失效模式诊断特征参量分析方法。本发明先通过检验样本获得设备的失效或故障模式,进一步通过极大似然估计后的函数f对特征参数求偏导数,通过偏导数绝对值的大小来判定特定失效或故障模式中不同特征参数的重要度。即通过对偏导数绝对值进行排序,就可以识别出设备失效或故障模式的关键特征参量,这为开展设备的失效或故障模式诊断指明了方向。
本发明公开了TSV圆片级封装MEMS芯片的失效分析装置及其分析方法,该装置由显微镜、反光盒和探针系统组成;反光盒由外壳、外壳中两个互成90°的反光镜和外壳顶部开口处的透明玻璃组成,反光镜与外壳底面夹角为45°;探针系统包括探针、探针臂和探针座,探针通过探针臂与探针座连接,探针上连接导线,导线与测试装置或电源连接。该装置利用反光镜改变光线方向,不需背面镜头,就可以用于分析MEMS芯片的失效机理,结构简单,效果好。本发明的分析方法为:将待分析MEMS芯片放置在透明玻璃上,在压焊块上扎上探针;通过导线向MEMS结构输入激励电压;通过显微镜观察MEMS结构的响应判断MEMS器件的失效机理。该方法操作简单,能够快速、准确地对待分析MEMS芯片进行失效分析。
本公开提供了一种产品失效知识库建立方法与产品失效分析方法、装置、设备、介质,属于计算机技术领域。该产品失效知识库建立方法包括:获取多组失效产品数据,包括设计数据、工艺数据与缺陷数据;根据设计数据和/或工艺数据对失效产品数据进行聚类,得到多个失效类别;分别对各失效类别的缺陷数据进行随机性检验,以确定失效类别为随机失效模式或非随机失效模式;对各非随机失效模式的失效产品数据进行关联规则挖掘,得到各非随机失效模式的失效根因数据;根据各失效类别的随机失效模式/非随机失效模式分类结果与各非随机失效模式的失效根因数据,建立产品失效知识库。本公开可以实现对未知失效模式的分析,并提高分析效率。
本发明涉及一种失效分析结构的制备方法及失效分析方法。失效分析结构的制备方法包括:提供待分析样品,待分析样品包括待分析芯片及承载基底,承载基底位于待分析芯片的正面;提供底板;将待分析样品贴置于底板上,待分析芯片的背面朝向底板;形成防护层,防护层至少覆盖待分析芯片的侧壁;使用腐蚀液去除承载基底。本发明的失效分析结构的制备方法,在去除承载基底的过程中无需使用到离子刻蚀机等复杂设备,操作方便,且没有氯气等腐蚀性气体的使用,不会对待分析芯片造成腐蚀破坏;并且通过形成防护层至少覆盖待分析芯片的侧壁,因此去除承载基底的过程中不会损伤芯片的侧壁,进而不会破坏芯片的信息及定位图案,以便后续对芯片进行信息确认。
本实用新型提供一种芯片表面放电的失效分析用测试装置,包括基座、夹持件和导电件,夹持件可移动的连接在基座上,导电件可旋转的连接在基座上,基座、夹持件和导电件的材料均为导电金属材料;当置于SEM机台的操作台上时,夹持件夹持芯片,芯片通过夹持件分别与基座和导电件电连接,基座和导电件均与操作台上的接地端连接,以通过基座在SEM机台的操作台上的接地端连接,降低芯片在测试时出现的芯片表面放电的问题,导电件可以增加芯片接触接地端(碳胶)的面积,从而解决了芯片在SEM机台上测试时出现的芯片表面放电的问题,该装置没有在芯片的四周点碳胶,没有去除碳胶以及点碳胶的过程,从而减少了在芯片周围反复点碳胶所耗费的时间。
本公开实施例提供了一种测试设备、失效分析方法和测试系统,该测试设备包括芯片载台和用于支撑芯片载台的支撑底座,且支撑底座内设置有比较模块和可调电阻模块;其中,芯片载台,用于承载被测芯片;比较模块,与可调电阻模块连接,用于对被测芯片中待测试层的接地电压与芯片载台的接地电压进行比较,根据比较结果和可调电阻模块对待测试层的接地电阻进行调节,以降低待测试层的表面荷电效应。本公开实施例能够降低待测试层的接地点和芯片载台的接地点之间的信号干扰,改善EBAC的成像效果,使得在对被测芯片进行失效分析时,可以快速且准确地定位失效点。
本实用新型提供了一种线芯剥离工装,包括:底座;第一工装架,第一工装架固定在底座上;第二工装架,第二工装架与第一工装架对称设置,且第二工装架固定在底座上;第一夹板,第一夹板穿过第一工装架和第二工装架,且第一夹板具有发热层,发热层与电源电连接;以及第二夹板,第二夹板穿过第一工装架和第二工装架,且第二夹板与第一夹板平行,第二夹板也具有发热层,第二夹板的发热层也与电源电连接;其中,所述第二夹板和所述第一夹板之间的距离可调。本实用新型的线芯剥离工装结构简单,使用方便,能够很容易的在不损伤线芯的情况下剥离线芯,剥离得到的绝缘层无损伤,能够保证测量的准确性。
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