本实用新型公开了一种失效电池气体压力测量装置,其包括:收容件,包括底板、设置在底板上的侧板和柔性侧板、设置在柔性侧板内壁上的钢钉,以及密封侧板和柔性侧板的若干层防爆片,侧板、柔性侧板和防爆片共同围成收容电池或电池模组的收容空间;挤压设备,包括挤压头和驱动挤压头挤压设置于柔性侧板内壁上的钢钉的挤压机;以及测量装备,包括可插入收容空间中的气压计和注射器。相对于现有技术,本实用新型失效电池气体压力测量装置可将电池或电池模组穿钉的气体全部留在密封容器内,防止气体通过穿钉口外溢;通过设置多层防爆片,可有效防止气体压力对收容件的冲击;可收集电池或电池模组失效产生的气体并进行分析,同时测量气体压力。
本实用新型提出垂直循环立体车库吊篮驻车自稳及载车板失效检测系统,所述系统中的立体车库设有多个用于驻车的吊篮(102),各吊篮在车库贮车空间内的竖向平面周转运行,所述吊篮底面处设有槽形件(3),车库基座(104)处设有导轮(2),所述导轮的轮面和槽形件走向均与吊篮周转运行面平行;当吊篮周转运行至车库最下方停靠以使吊篮内的载车板(4)可供车辆(103)出入时,车库基座导轮进入吊篮底面槽形件的导槽内,车辆出入动作对载车板的施力驱动吊篮摆动,使吊篮槽形件导槽压于导轮轮面,所述导轮通过槽形件对载车板制动并支撑载车板;本实用新型可以提高垂直循环系统驻车的稳定性,提高泊车舒适度。
本发明公开了一种逆变器的滤波电容失效检测方法,直流母线中点与逆变模块输入中点连接时,包括以下步骤:获取直流母线中点和三相滤波电容公共端之间的瞬时电压值;判断所述的瞬时电压值是否大于或等于设定的第一阈值T1,若判断结果为是,则确定滤波电容需要检修或更换;所述设定的第一阈值T1的取值范围为,0<T1≤1.225UN;所述UN为电网相电压有效值。本发明的检测方法简单,采集的数据量少,运算简单。
本发明提供了一种连接强度检测及失效节点图像采集装置,包括支架,连接检测材料一端的支撑台,连接所述检测材料另一端的压头,能够带动所述压头升降的升降机,能够采集所述压头的受力信息的测力传感器,采集所述检测材料的焊接处图像的高速摄像机,与所述测力传感器和所述高速摄像机电连接的计算机,以及能够对所述检测材料的焊接处进行加热的电阻炉,所述升降机固设于所述支架上,所述支撑台固设于所述压头的下方,所述压头固设于所述升降机上,所述高速摄像机连接有能够调节所述高速摄像机的高度的摄像高度调节结构,所述摄像高度调节结构固设于所述支架上,所述电阻炉可拆卸连接于所述支架上。
本发明公开了一种塑料模具失效的检测装置,包括装置体,所述装置体内设有检测腔,所述检测腔内滑动设有垫块,所述检测腔底壁内设有第一传动腔,所述垫块下端面上固定设有贯穿所述检测腔底壁的压杆,所述压杆下端伸入所述第一传动腔内,所述垫块与所述检测腔底壁之间固定设有第一复位弹簧,所述压杆下端固定设有安装块,本发明结构简单,使用便捷,只要将生产完成的塑料放入装置中,启动装置,即可通过一系列机械动作,将塑料产品封住,在进行体积检测,从侧面检测模具是否失效,简单便捷,自动化程度高,检测迅速,提高了效率。
本发明适用于继电器技术领域,提供了一种继电器失效检测装置及方法,所述装置包括:控制器、第一电阻、第一电容和电信号采集模块;其中第一电阻并联在第一继电器的两端;第一电容并联在变流器的正负极之间,控制器与电信号采集模块连接;电信号采集模块用于采集电信号,并将电信号发送至控制器;控制器根据电信号确定第一继电器及所述第二继电器是否失效,本申请通过检测电信号的大小确定第一继电器和第二继电器是否正常工作,能够实现继电器工作状态的在线检测,从而提高继电器失效检测的准确性,保证电能变换系统的正常运行。
本发明提供一种芯片指令高速缓存失效的检测方法,所述方法为:1、在芯片指令高速缓存中预设复数个最小指令单元,2、根据宏函数的递归性,逐级创建宏函数单元,各级宏函数单元包裹有最小指令单元,且每一级宏单元不断的包裹前一级宏单元构成了一大函数,3、CPU内的逻辑运算单元ALU从高速缓存中获取大函数中所有的最小指令单元的指令进行执行,逻辑运算单元ALU访问高速缓存的每个比特,大函数中的指令会依次执行,大函数执行完成,则整个芯片指令高速缓存进行了遍历;4、根据大函数是否完成即能判断芯片指令高速缓存是否失效或者异常。本发明还提供了一种芯片指令高速缓存失效的检测系统,本发明提高检测效率,加快芯片检测的流通环节,省时省力。
本发明适用于电力电子技术领域,提供了一种检测相控整流电路中失效晶闸管的方法、装置及终端设备,该方法包括:监测输入相控整流电路的三相交流电电流的瞬时值;基于监测的三相交流电电流的瞬时值,计算所述三相交流电电流在一个市电周期内的模值;基于计算的所述三相交流电电流在一个市电周期内的模值判断所述三相交流电在一个市电周期内是否存在脉冲丢失;若存在脉冲丢失,则判定所述相控整流电路中存在失效晶闸管。本发明通过三相交流电电流在市电周期内的模值判断三相交流电在一个市电周期内脉冲的丢失情况,进而根据脉冲的丢失情况判断失效晶闸管,提高了检测相控整流电路中失效晶闸管情况的准确性和简捷性。
本实用新型涉及涉及一种检测水位电路失效自动识别装置领域,具体涉及一种电热水壶检测水位电路失效自动识别装置和热水壶,其中,电热水壶检测水位电路失效自动识别装置包括热水壶本体和热水壶底座,所述热水壶本体设有耦合器上座、水位传感器,热水壶底座设有耦合器下座、检水位电路和单片机,所述水位传感器的输出端依次通过耦合器上座、耦合器下座电连接检水位电路检测端口,所述水位传感器的输出端还通过一电阻单元接热水壶本体的壶壁,检水位电路和单片机连接。本实用新型当检水位电路检测到电压大于预设的固定电压值,就可以判断耦合器接触不良或因为其他原因导致检水位回路断路,则停止加水,从而避免加水满出来。
本发明涉及一种交流电检测单元失效的判断方法,定时Ts对一交流电检测单元输出的电压值或电流值进行采样;将每一采样值与一基准值进行比较后,将所述采样值转换为二进制位码1或0,并将所述二进制位码按位存储于一存储单元;在一判断周期内共采样A个采样值,且所述判断周期A*Ts不小于所述交流电的周期T;按位读取并统计所述存储单元中二进制位码1和0个数,分别记为B和C;将B、C分别与一阈值进行比较,或将|B‑C|与该阈值进行比较;当至少B或C中任一项小于该阈值或|B‑C|大于阈值,则判断为所述交流电检测单元失效;其中,|B‑C|为B与C之差的绝对值。本发明所提出的一种交流电检测单元失效的判断方法,有效地实现了对交流电检测单元失效的判断。
本发明公开一种工业用滤料失效的检测方法,首先对工业用滤料的高分子结构进行分析,在保证滤料基本性能的前提下,通过优化计算得到最简化的反应物(即结构单元)能量为E0;利用现有的量子化学软件模拟反应物与单一影响因素的反应,通过计算、分析得到反应中间体能量E#,max和最终产物能量Ee;然后,通过反应中间体和反应物间的能量对比,得出该影响因素与反应物间的能垒(ΔE=E#,max-E0);其中能垒最低的影响因素为导致滤料失效的主要原因;最后,通过量子化学软件模拟得出重复的结构单元与各影响因素间的能垒,验证各影响因素对滤料失效的影响程度。本发明旨在提出一种分析滤料失效主要原因的检测方法。
本实用新型公开一种发光二极管失效分析解剖装置,包括操作平台、调温加热台及体视显微镜;操作平台设置加热板,该加热板与调温加热台电连接,加热板加热发光二极管表面封装胶体;操作平台置于体视显微镜的视场范围中。本实用新型可以减少损伤LED芯片,提高失效异常分析的准确性,同时提高LED芯片解剖效率。
本发明提出型钢混凝土组合构件从损伤到失效的综合评价分析方法,包括以下步骤;步骤A1、根据由临界判定函数建立的失效模式判别准则,判断构件在低周往复荷载作用下的失效模式;步骤A2、针对钢筋混凝土材料部分,以混凝土的受压损伤因子表征材料的损伤;步骤A3、针对型钢材料部分,分别以型钢屈服和达到极限强度作为损伤起点和终点,确定型钢的损伤因子;步骤A4、统计两种材料的综合损伤,提出综合损伤因子;步骤A5、根据各失效模式下构件损伤性能等级判定标准,由材料损伤指标确定构件的损伤性能阶段;本发明可以建立构件损伤量化模型,实现由材料损伤微观层面过渡到构件性能劣化的宏观层面,为该类构件的失效演化分析和损伤评价建立理论依据。
本发明公开一种发光二极管失效分析解剖装置,包括操作平台、调温加热台及体视显微镜;操作平台设置加热板,该加热板与调温加热台电连接,加热板加热发光二极管表面封装胶体;操作平台置于体视显微镜的视场范围中。本发明还公开一种发光二极管失效分析解剖方法。本发明可以减少损伤LED芯片,提高失效异常分析的准确性,同时提高LED芯片解剖效率。
本申请实施例提供一种CPU失效位置的定位分析方法及相关产品,所述方法包括:在CPU测试状态下,CPU迭代运行指令直至该CPU的迭代运行指令处于异常状态,记录迭代运行指令的CPU的各寄存器的状态值;将迭代运行指令的CPU的各寄存器的状态值与该测试状态下预设的各寄存器的真实golden值进行比对得到比对结果;依据所述比对结果实现对CPU失效位置的定位。本申请的技术方案具有精确定位的优点。
本发明涉及一种快速识别陶瓷涂层失效类型的声发射信号分析方法。首先采集涂层试验过程中产生的声信号,提取信号特征参数,对声发射信号进行聚类分析,然后选取最靠近各个聚类中心的信号对其进行小波变换,并提取能谱系数作为模式识别的特征参数,根据能量分布识别出涂层损伤类型。最后统计各类损伤的声发射事件数,将所得数据与外加载荷‑位移曲线相结合,得到涂层失效过程的临界载荷及相应的信号频率,全面了解陶瓷涂层在外加载荷作用下的失效过程。本发明为陶瓷涂层的失效机理研究提供了直接的依据,对涂层正常服役的寿命预测具有重大意义。
本发明涉及一种对失效芯粒的自动分析方法及系统,所述方法包括以下步骤:收集待测晶圆的WAT数据及CP数据,进行数据分析处理,所述WAT数据为待测警员的电性测试数据,所述CP数据为待测晶圆上每一个芯粒的测试数据;根据待测晶圆不同的WAT测试项目、测试坐标将待测晶圆的WAT数据生成对应测试项目的WAT mapping图;根据待测晶圆不同的CP测试项目、测试坐标将待测晶圆的CP数据生成对应测试项目的CP mapping图,并根据生成的CP mapping图单独提取与WAT相对应shot位置的数据,形成新的CP‑WAT mapping图;将待测晶圆的WAT mapping图与CP‑WAT mapping图进行比对,计算得到WAT mapping图与CP‑WAT mapping图的相似值,并根据计算得到的相似值大小排序,判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性。节省人力物力,提高效率。
本发明涉及一种芯片钠离子沾污失效分析实现方法,包括次级离子质谱仪,其特征在于,按如下步骤进行:a.Decap机将成品芯片的封装去掉,露出芯片表面;b.用次级离子质谱仪做出芯片表面的离子图谱;c.用次级离子质谱仪做出芯片表面的钠离子分布图;d.结合离子图谱和钠离子分布图对钠离的沾污层度进行分析。本发明利用次级离子质谱仪检测分析芯片钠离子沾污情况,可有效了解芯片具体情况,防止由于钠离子沾污造成芯片时效的事故发生。
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