广东有色金属失效分析技术理论与应用

城镇燃气聚乙烯管道失效事故分析实现方法及系统 906     

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本发明公开了一种城镇燃气聚乙烯管道失效事故分析实现方法及系统，方法包括：获取城镇燃气聚乙烯管道的管道失效后果分类信息，及管道事故后果严重度影响因素信息；其中，所述管道事故后果严重度影响因素信息中所包括的输送介质危害性信息具体包括介质危险系数、泄露量因子及泄露扩散因子；根据管道失效后果分类信息、及管道事故后果严重度影响因素信息，获取风险可接受值，并判断风险可接受值在预先设置的最低合理可行区域，当风险可接受值在最低合理可行区域内则提示事故的风险可接受。本发明中建立了城镇燃气聚乙烯管道失效后果评价因素体系，实现城镇燃气聚乙烯管道风险评价因素体系、及管道失效风险等级的建立和进行事故分析。

并行管道喷射火场景下目标管道动态热失效分析方法 985     

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本发明公开一种并行管道喷射火场景下目标管道动态热失效分析方法，包括以下步骤：1、输入源管道运行参数，获得瞬时喷射火近场内目标管道接收的瞬时热辐射值；2、建立瞬时热辐射值与时间变化的拟合函数关系式；4、计算目标管道内壁对流换热系数；3、计算目标管道的管壁瞬时温度分布结果；5、计算目标管道的管壁周向、径向和轴向承受的瞬时热应力和瞬时总应力；6、试验获得不同温度对应的屈服强度和极限抗拉强度；7、分析判定目标管道动态热失效结果。本发明通过解决当前静态热失效分析技术不符合实际情况的问题，并基于分析结果合理优化并行管道的安全间距，实现防止目标管道发生热失效。

芯片失效分析定位方法、装置、设备及存储介质 1031     

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本申请提供一种芯片失效分析定位方法、装置、设备及存储介质，其中，芯片失效分析定位方法包括以下步骤：获取待分析产品的芯片层的结构图像，所述待分析产品包括至少两层芯；根据所述芯片层的结构图像构建所述待分析产品的三维图像；基于所述待分析产品的三维图像对所述待分析产品进行失效定位分析。本申请能够形成三维图像，从而能够基于三维图像高效地对整个芯片进行失效分析。

半导体激光芯片失效分析方法 893     

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本申请公开了一种半导体激光芯片失效分析方法。其中，所述方法包括：去除半导体激光芯片的衬底，直至露出所述半导体激光芯片的外延层；通过显微镜的暗场模式观察所述外延层，分析得出失效部位。由于无需专门设备，仅使用显微镜即可解决激光芯片失效模式分析问题，从而降低了高功率半导体激光芯片失效分析成本；并且，显微镜是常用工具，不像专门设备，操作简单，无需专业技术人员即可操作，降低了高功率半导体激光芯片失效的门槛。并且，通过显微镜的暗场模式来直接观察所述外延层，保持了对失效区域高质量的成像，对推动高功率半导体激光芯片各项性能指标的研究有重要作用。

线路板通孔受热膨胀的失效分析试验方法 682     

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本发明公开了一种线路板通孔受热膨胀的失效分析试验方法，包括如下步骤：提供具有通孔的线路板，对线路板的通孔进行灌锡操作；对线路板侧壁进行打磨处理；将视频显微镜与线路板具有通孔轴向截面的侧表面进行对焦操作；对所述线路板进行升温处理，并通过所述视频显微镜录制所述线路板的通孔受热膨胀的变化过程。如此本发明能够模拟产品在受热过程(焊件组装、使用)中会出现如孔铜拉裂、分层等等的失效情况，并能够便于根据录制视频进行分析。本发明的失效分析试验方法无需采样分析不同环境温度下多个线路板的受热膨胀的结果图，而是通过控制改变线路板的在录制过程中的温度即可，可见本发明失效分析试验效率更高，分析数据将更加准确。

洪水和飓风耦合作用下立式储罐屈曲失效易损性分析方法 736     

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本发明公开了洪水和飓风耦合作用下立式储罐屈曲失效易损性分析方法。所述方法包括以下步骤：确定立式储罐的基本信息；确定立式储罐受到的作用力；计算出立式储罐的抵抗荷载；计算立式储罐的外部作用力；根据储罐屈曲失效判断依据，建立洪水和飓风耦合作用下储罐屈曲失效的极限状态方程；采用蒙特卡洛模拟方法统计目标储罐发生屈曲失效的次数，计算失效概率；绘制储罐在洪水和飓风耦合作用下的易损性曲线，分析储罐受不同风速、水速、水深和充装率的影响。本发明能精确计算洪水和飓风耦合作用下立式储罐的屈曲失效概率，为化工过程装备多灾种耦合作用下易损性评估提供有力依据。

LNG储罐泄露的失效模式分析实现方法 948     

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本发明公开了一种LNG储罐泄露的失效模式分析实现方法，方法包括：获取LNG储罐泄露的严重度值、频度值及可探测度值；根据LNG储罐泄露的严重度值、频度值及可探测度值的乘积获取风险系数；判断风险系数是否大于预先设置的风险系数阈值，当风险系数大于所述风险系数阈值时，则进行泄露风险高的提示。本发明中准确的根据LNG储罐泄露的严重度值、频度值及可探测度值的乘积获取风险系数，并判断该风险系数是否超出风险系数阈值，也就可根据事故的风险系数准确指导采取相应的控制措施。

战略备件的失效概率分析方法、系统 873     

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本发明涉及了一种战略备件的失效概率分析方法、系统，该失效概率分析方法包括：根据战略备件在各工厂的工单领用数据及验收入库数据，确定每个已更换的战略备件的更换类型；统计特定时段内战略备件的每个更换类型所对应的更换数量；获取各工厂的战略备件的安装数据及各工厂的机组分布数据；根据战略备件的安装数据及各工厂的机组分布数据，计算特定时段内战略备件的运行堆年数；根据特定时段内战略备件的运行堆年数及每个更换类型所对应的更换数量，分别计算战略备件的每个更换类型的年失效概率。实施本发明的技术方案，实现了战略备件的失效概率分析方法的标准化、自动化，不但提升了工作效率，而且，提高了准确性。

失效分析报告生成系统及方法 778     

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一种失效分析报告生成系统,包括一报告处理模块及一用于将失效分析文件汇总的学习分享模块,所述报告处理模块包括一汇出单元,用于汇出失效分析文件;一转换单元,用于将失效分析文件转换成标准格式;一判断单元,用于判断失效分析文件是否转换成标准格式,如果否,则重新汇出失效分析文件,如果是,则发送一控制信号给报告生成单元;及一报告生成单元,用于在接收到控制信号后将标准格式下的失效分析文件转换成方便阅读的查阅格式并写入学习分享模块。所述失效分析报告生成系统可有效对失效分析文件进行管理。

基于失效机理的元器件FMEA分析方法与系统 751     

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本发明提供一种基于失效机理的元器件FMEA分析方法与系统，对元器件进行FMEA结构划分，将元器件分解为功能单元，功能单元具有独立的失效机理，分析功能单元的失效机理和分析导致失效机理的失效模式，分析失效机理和失效模式对元器件的影响，根据功能单元的失效机理，构建失效物理模型，根据失效物理模型，分析引起失效机理的失效原因，整合元器件失效影响分析结果和引起失效机理的失效原因，获得FMEA分析结果，以提高元器件可靠性。整个元器件FMEA分析的起点是失效机理，在识别失效机理的基础上，对其失效物理模型进行分析，分析失效机理的加速因子，从深层次上对元器件进行准确的可靠性分析，准确反映元器件可靠性状况。

元器件失效归零分析方法与系统 1053     

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本发明提供一种元器件失效归零分析方法与系统，系统建立元器件失效物理故障树，将失效物理故障树转换为失效定位故障树，建立机理原因与失效特征相对应的元器件故障字典，根据故障树和故障字典进行元器件失效归零分析。本发明元器件失效归零分析方法与系统，能够通过失效定位故障树将元器件故障定位到内部物理结构，给出清晰的失效路径，通过故障字典的失效特征向量分析快速确定元器件失效模式对应的失效机理，通过失效物理故障树确定相关失效机理的机理因子和影响因素，提出针对性的失效控制措施，实现对电子元器件故障的快速、准确定位和诊断。

用于分析继电保护系统失效的数据处理方法及系统 1118     

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本申请提供了一种用于分析继电保护系统失效的数据处理方法及系统，通过所述变电站配置描述文件、薄弱环节分析目的信息、所述专家经验信息和所述风险库数据信息分析得出影响系统失效的故障树事件，分析影响本次薄弱环节分析的故障树事件间逻辑关系和前后级关系，并以此为基础搭建系统失效树模型，计算得出薄弱环节，本方案能够针对薄弱环节进行分析，解决了不基于薄弱环节分析基础而盲目进行继电保护可靠性提升策略研究的问题。同时，本方案通过分析薄弱环节分析目的信息，能够针对不同的目的进行不同的薄弱环节分析，解决了没有针对不同分析目的进行薄弱环节分析的问题。

适用于多芯片失效分析的LPDDR晶圆RDL设计方法 765     

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本发明公开了一种适用于多芯片失效分析的LPDDR晶圆RDL设计方法，属于半导体封装领域，包括以下步骤：S1：基于常规LPDDR RDL设计，增加键合焊位；S2：设计封装基板，增加若干用于DIE连接的基板正面金手指；S3：进行封装，并将键合焊位与基板正面金手指连接S4:测量电阻，通过电阻测试判断DIE状态，完成设计。只需要在设计原始RDL布线时候，同步新增如下1条RDL走线即可；围绕DIE四周新增1条不封闭的口字型走线和2个键合焊垫(焊垫开窗位置需寻找合适位置，不影响原始产品RDL布线即可)，通过走线电阻的测量数据来判定DIE是否有开裂，无需专门测试机器，只需要使用万用表或者简易测试设备来测试电阻即可判定多芯片堆叠中存在某一颗DIE开裂。

SSD失效分析方法、装置、计算机设备及存储介质 734     

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本发明涉及SSD失效分析方法、装置、计算机设备及存储介质，该方法包括当SSD出现失效时，获取SSD全盘信息；根据SSD全盘信息构建失效场景，并对失效场景进行分析，以得到分析结果；发送所述失效结果至终端，以在终端显示所述失效结果。本发明通过在SSD出现失效时，导出SSD全盘信息，并根据SSD全盘信息重建失效场景并在本地进行分析，以此形成分析结果，且导出SSD全盘信息可以无限次重建失效场景，能永久保存失效场景，也极大便利了失效分析及问题解决后的验证，实现多种场景的失效分析，提升分析的成功率和准确率。

芯片失效分析仪器 1017     

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本发明公开了一种芯片失效分析仪器，其测试夹具包括底板、载板及夹板，底板中央设有均匀布置的金属凸起，贯穿载板上表面、下表面设有与金属凸起对应的均匀布置的通孔，通孔内设有用于与被测芯片的引脚连接的连接件，连接件包括设于载板上表面的金属薄片及连接于金属薄片下的金属探针，金属探针套设有弹性部件，且弹性部件固定于通孔内壁，被测芯片置于载板上表面时，夹板轻压于被测芯片上，被测芯片的引脚压于金属薄片上，弹性部件一起被压缩，且金属探针与金属凸起电性连接；其测试机台用于对被测芯片输出测试信号，且可选择地与金属凸起电性连接。本发明是一种能够广泛适用于各种封装结构的芯片进行失效分析的测试设备。

集成电路的关键失效路径分析方法、装置、计算机设备 969     

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本申请涉及一种集成电路的分析方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：获取待测器件包含的数字集成电路对应的门级网表，所述门级网表用于描述所述数字集成电路包括的多条路径及每条路径上的门电路包括的至少一逻辑门；根据所述门级网表获取每条路径的路径信息；根据所述路径信息和预设器件退化模型计算每条所述路径的延时增量；根据所述延时增量和失效边界条件计算每条所述路径的失效时间，并将最小失效时间对应的路径作为所述数字集成电路的关键失效路径。通过本方法可基于电路负载及时序要求分析出集成电路中导致可靠性退化的关键失效路径，从而在设计早期对该路径进行加固，提高集成电路的可靠性。

电涌保护器防雷器件失效分析的装置 1041     

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本发明的一种电涌保护器防雷器件失效分析的装置,包括:一整流滤波电路;一DC/DC变换器;一DC/AC变换器,用于将来自所述DC/DC变换器的直流电压进行变换,变成预定频率的交流电压;一限流电路,串联在DC/DC变换器与DC/AC变换器的回路中;一电流采样,串联在DC/DC变换器与DC/AC变换器的回路中,用于将流过电涌保护器的电流转换成电压信号;一电流放大电路,用于将来自所述电路采样的电流信号进行放大,送给所述DC/DC变换器,以保证流过电涌保护器的电流不变。本发明装置由于采用了先进闭环控制技术,达到了实时调节流过SPD的电流的效果,使设备的成本大大降低,同时提高了测试的准确度。

用于制备芯片失效分析样品的制样装置 726     

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本实用新型提出一种用于制备可供扫描电容显微镜研究的芯片失效分析样品的制样装置，包括聚焦离子束、金属垫片、离子风扇、加热台和UV灯，待测试的芯片经由所述聚焦离子束切割得到芯片样品，将所述芯片样品粘贴在所述金属垫片上，所述离子风扇对所述金属垫片上的芯片样品进行吹拭以除去所述芯片样品表面沉积的离子，随后将所述金属垫片移送至所述加热台，所述加热台对所述芯片样品进行加热，所述UV灯对所述芯片样品进行照射，所述加热台与所述UV灯共同作用以在所述芯片样品的表面形成致密的氧化层。本实用新型提供的制样装置操作简单，制样完整精确，能有效地保证芯片失效分析结果的准确性，提高测试分析结果的精确度。

失效分析系统 977     

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本实用新型公开了一种失效分析系统，其测试夹具包括底板、载板及夹板，载板为分层结构，贯穿载板设有均匀布置的垂直通孔，贯穿每层载板的两相对侧面设置有一层水平通孔，垂直通孔内设有用于与被测芯片的引脚连接的连接件，连接件包括金属薄片及第一金属探针，第一金属探针套设有弹性部件，还包括第二金属探针，且弹性部件固定于垂直通孔之内壁处，被测芯片置于载板上表面时，夹板轻压于被测芯片上，被测芯片的引脚压于金属薄片上，弹性部件一起被压缩，且第一金属探针与第二金属探针电性连接；测试机台，测试机可选择地与第二金属探针电性连接，并输出测试信号。本实用新型是一种能够广泛适用于各种封装结构的芯片进行失效分析的测试设备。

芯片失效分析仪 731     

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本实用新型公开了一种芯片失效分析仪，其测试夹具包括底板、载板及夹板，底板中央设有均匀布置的金属凸起，贯穿载板上表面、下表面设有与金属凸起对应的均匀布置的通孔，通孔内设有用于与被测芯片的引脚连接的连接件，连接件包括设于载板上表面的金属薄片及连接于金属薄片下的金属探针，金属探针套设有弹性部件，且弹性部件固定于通孔内壁，被测芯片置于载板上表面时，夹板轻压于被测芯片上，被测芯片的引脚压于金属薄片上，弹性部件一起被压缩，且金属探针与金属凸起电性连接；其测试机台用于对被测芯片输出测试信号，且可选择地与金属凸起电性连接。本实用新型是一种能够广泛适用于各种封装结构的芯片进行失效分析的测试设备。

LED失效分析方法及其过程中封装树脂的减薄方法 1006     

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本发明涉及一种LED失效分析方法及其过程中封装树脂的减薄方法。所述减薄方法，包括如下步骤：(1)取片状板，在其上开孔或槽，形成样品容纳区域，所述样品容纳区域与待测LED样品的尺寸相匹配，且深度小于所述待测LED样品的厚度；(2)将待测LED样品置于所述样品容纳区域；(3)打磨所述待测LED样品，至其厚度与所述样品容纳区域的深度一致，即可。该减薄方法能够有效保证打磨后的待测LED样品表面平整光滑，能够清晰的观察到封装的内部结构，提高失效分析的准确性；同时，可通过控制样品容纳区域的深度对样品的减薄厚度进行有效控制，防止减薄过度，破坏封装的内部构造。

并网逆变器的失效检测方法和继电器失效检测装置 663     

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本申请公开了一种并网逆变器的失效检测方法和继电器失效检测装置，方法应用于单相和三相的并网逆变器的继电器失效检测电路，电路包括逆变模块、继电器组、电网，继电器组并联依次串联的第一电容、阻抗元件、第二电容，继电器组的主继电器和从继电器分别由第一驱动信号和第二驱动信号控制导通或断开。方法包括：同时控制主继电器和从继电器断开，以通过比对继电器组的电网侧电压和逆变侧电压判断是否是第一故障原因，若不是则交替控制主继电器或从继电器中的一个导通，从而在阻抗元件电压大于所述预设电压阈值时，比较阻抗元件电压和第二电网侧电压的相位方向，进而判断出具体短路故障的继电器。本申请有利于提高继电器故障检测的准确性。

电子产品失效分析方法 1052     

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本发明提供一种电子产品失效分析方法,该方法包括如下步骤:从存储装置中获取失效电子产品的失效信息;根据所获取的失效信息进行失效复制验证,以验证所获取的失效信息对应的失效现象能否复制;当所获取的失效信息对应的失效现象不能复制时,对失效电子产品进行测试以判断所述失效电子产品的失效原因是否属于不能复制问题;当所述失效电子产品不属于不能复制问题时,判断所述失效电子产品是否未出故障。

电性能失效分析定位方法和装置 687     

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本申请公开了一种电性能失效分析定位方法和装置。其中，该电性能失效分析定位方法具体包括以下步骤：步骤S11，将监测导线与待测元器件或待测PCB进行电性连接，并将待测元器件或所述待测PCB灌封成待测样本；步骤S12，将监测导线与阻值监测设备进行电性连接；步骤S13，对待测样本进行研磨，并通过阻值监测设备监测待测样本的当前阻值；步骤S14，根据当前阻值确定待测样本的阻值异常位置。因此，本申请通过对待测样本进行研磨，并通过阻值监测设备实时监测待测样本的当前阻值，能够准确地定位失效的待测样本的阻值异常位置。

器件失效定位分析方法 849     

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本申请涉及失效分析技术领域，具体公开一种器件失效分析定位方法，包括：对扫描探头进行校准，获取校准数据；控制扫描探头对待测器件进行扫描，并获得第一参数信息，第一参数信息用于表征待测器件扫描高度平面的电磁场信息；根据第一参数信息和校准数据，确定待测器件目标高度平面的电磁场信息；根据待测器件目标高度平面的电磁场信息，确定待测器件表面的电学分布；根据待测器件表面的电学分布，确定待测器件的失效位置。基于电磁注入和探测的原理，结合待测器件表面的电磁场信息实现对待测器件的失效位置的分析，相对于传统的失效分析方法而言，成本较低，且无需对待测器件进行破坏，整体失效定位方法可靠性较高。

开路失效分析方法和系统 947     

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本申请涉及印刷电路板测试技术领域，具体公开一种开路失效分析方法和系统。方法包括：注入射频探测信号至待测电路板线路；接收反射信号，并对所述反射信号进行时域换算，得到时域曲线；对所述时域曲线进行分析，确定所述待测电路板线路的开路位置点。无需对待测电路板进行破坏，避免对失效位置造成破坏而找不到开路位置点，通过对时域曲线的分析可对任意一种开路状态的线路的开路位置进行分析，且准确度较高，另外，相对于外场电磁场扫描定位方法，本申请的失效分析方法成本较低。

红外补光模块失效检测方法及终端设备 1090     

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本发明提供了一种红外补光模块失效检测方法及终端设备。所述方法包括：在检测到用户输入的终端解锁操作时，通入第一电流开启所述补光灯，并获取所述红外摄像头采集的第一图像，其中，所述红外摄像头用于执行所述终端解锁操作；依据所述第一图像的亮度信息判断所述灯罩是否失效；在所述灯罩未失效的情况下，将所述补光灯的开启电流由所述第一电流增加至第二电流，并获取所述红外摄像头采集的第二图像；当所述第二图像的亮度值低于第一亮度阈值时，确定所述补光灯失效。本发明能够实现对灯罩或补光灯是否失效进行检测，并且，通过电流的控制，可以在检测过程尽量减少红外光线对人眼造成的伤害，提高了用户的使用体验。

失效分析方法、装置、设备和存储介质 1002     

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本申请涉及一种失效分析方法、装置、计算机设备和存储介质，计算机设备获取待测失效器件的至少一个测试数据；然后将测试数据输入到深度学习模型中进行失效分析处理，获取与每个测试数据关联的失效节点信息；失效节点信息包括测试数据关联的上级失效事件节点和下级失效事件节点，下级失效事件节点为上级失效事件节点的备选失效机理；最后根据每个测试数据关联的失效节点信息，构建各个失效事件节点之间的父子关系，并根据父子关系确定最底层的失效事件节点为待测失效器件的目标失效机理。采用上述方法可以提升失效分析的效率和准确率。

流程失效状态的分析方法及其系统、计算机设备 695     

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本发明提供了一种流程失效状态的分析方法，所述流程失效状态的分析方法包括：设置末尾埋点于流程的结束节点，其中，所述流程包括若干流程步骤；运行所述流程；当所述流程运行至所述结束节点时，判断所述流程的状态是否为失效状态；当所述流程为失效状态时，采集所述末尾埋点；解析所述末尾埋点得到运行所述流程时经历的流程步骤为运行步骤；根据所述结束节点的前一个运行步骤回溯推测步骤；以及根据所述运行步骤与所述推测步骤分析导致所述流程的状态为失效状态的缺失场景。此外，本发明还提供了一种流程失效状态的分析系统以及计算机设备。本发明技术方案有效解决了程序无法根据流程失效状态得知原因，弥补空缺场景的问题。

陶瓷电容失效的分析方法 826     

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本发明实施例提供了一种陶瓷电容失效的分析方法，属于电子设备中陶瓷电容领域，以能够准确分析出陶瓷电容的内部缺陷，提高分析成功率。所述陶瓷电容失效的分析方法，包括：对待分析的陶瓷电容进行阻值测试，将测得的阻值记为初始阻值，并根据所述初始阻值判断所述待分析的陶瓷电容的失效状态；将所述待分析的陶瓷电容制成金相切片样品，研磨，在研磨过程中对阻值进行实时测试，并将测得的阻值记为测试值；当所述测试值的变化量超过所述初始阻值的10%时，停止研磨，定位观察所述待分析的陶瓷电容的缺陷部位；对所述缺陷部位进行综合分析，确定所述待分析的陶瓷电容的失效原因。本发明可用于陶瓷电容失效的分析中。