本公开总体上涉及用于在半导体晶片的制造期间形成的废气的燃烧消减的系统和方法。特别地,本文描述的系统能够以比现有的消减系统更高的效率和更低的能量使用燃烧污染空气的全氟化碳,包括具有高温室气体指数的全氟化碳,例如六氟乙烷(C
2F
6)和四氟甲烷(CF
4),以及形成颗粒物的二氧化硅前体,例如
硅烷(SiH
4)和四乙氧基硅烷(Si(OC
2H
5)
4,缩写为TEOS)。更具体地,并且在一个优选实施方案中,本公开针对于一种废气消减系统,其利用不可燃和可燃气体(或气体混合物)的组合进行热燃烧,所述气体被引导通过反应室的多个可渗透内表面,从而有效地燃烧废气并防止固体颗粒物质在腔室表面上的不希望的积聚。
声明:
“用于改善废气消减的系统和方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)