本发明属于微
纳米材料领域,本发明公开一种高容量的层状二硫化锗(GeS
2)纳米片及其制备方法和应用。所述层状二硫化锗纳米片是由锗源和钙源混合后在900℃~1050℃下经退火Ⅰ,将所得产物加入盐酸溶液中,在‑20℃~‑40℃搅拌,得到GeH,然后将GeH和硫源在650℃~850℃下经退火Ⅱ,经洗涤,干燥制得。本发明制备的层状GeS
2单层厚度约为1.2nm,相比于利用机械力的高能球磨方法,本发明利用原位转化法制备的GeS
2,完整地保持了GeH的层状结构。当其应用在锂离子电池
负极材料时,表现出高的可逆充放电容量以及优异的循环寿命。
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“高容量的层状二硫化锗纳米片及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)