本申请公开了一种单晶压电薄膜及其制备方法,包括对单晶压电衬底的加工表面进行第一退火处理,以在加工表面形成钝化层;单晶压电衬底为铌酸锂;从加工表面对单晶压电衬底进行离子注入处理,使得单晶压电衬底内形成压电薄膜层与损伤层,得到包括压电薄膜层的单晶压电衬底;采用清洗剂进行清洗处理,得到清洗后的单晶压电衬底;将清洗后的单晶压电衬底沿加工表面与支撑衬底键合,得到键合结构;对键合结构进行剥离处理,使键合结构沿损伤层分离,得到单晶压电薄膜。本申请通过在单晶压电衬底表面形成钝化层,能够有效避免压电薄膜层在制备过程中被腐蚀,降低制备工艺的复杂度,提升产品厚度的准确性与均匀性,提升产品良率。
声明:
“单晶压电薄膜及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)