本发明提供了一种共轭聚合物
半导体材料的室温类Suzuki交叉偶联聚合方法,在室温条件下,采用惰性氮气保护,在Pd(PPh3)4和CuMeSaI催化剂的作用下,将芳基二硫醚和芳基二硼酸(酯)(若底物为芳基二硼酸酯则以叔丁醇锂作为添加剂)置于四氢呋喃中,在室温条件下进行反应,得到共混物,将混合物减压浓缩,倒入醇中沉淀过滤,并将沉淀物进行有机溶剂提取,再醇沉淀后制得。采用本发明制备的聚合物材料可以应用于细胞成像和光热、光动力治疗等领域。
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“共轭聚合物半导体材料的室温类Suzuki交叉偶联聚合方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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