本发明公开了一种利用掺杂硅颗粒制备纳米多孔硅的方法,该方法包括选用一定掺杂浓度的硅颗粒,氢氟酸清洗后,选用硝酸盐、氢氟酸、氧化剂配制的溶液反应并进行超声辅助,再经离心清洗,最后通过稀硝酸清洗等后处理制备的三维纳米多孔硅。本发明通过大量实验筛选出,最佳的化学刻蚀腐蚀剂的组成,反应试剂的体积比和具体浓度,反应时间、反应温度、超声频率及处理时间具体的反应步骤等最佳工艺参数,制备得到的高纯度的三维掺杂多孔硅,孔形规则,布置均匀,可应用于
锂电池、
太阳能电池、半导体、传感器等领域。本发明整个工艺可操作性强,成本低廉,并且产量高,适合于工业化大生产。
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