本发明公开一种以微硅粉为Si源制备石墨基Si@C
负极材料的方法,所述方法为:将微硅粉进行预处理,然后与镁粉进行球磨混合、还原反应,再经酸洗、离心干燥,即得多孔晶体Si颗粒;将所制备的多孔晶体Si在配置好的PH为8.5的Tris缓冲溶液中与多巴胺均匀混合,使聚多巴胺沉积在Si颗粒的表面,对Si进行包覆,制备出Si@C核壳结构的复合体材料。该复合体材料拥有优异的
电化学性能,具有较高的比容量、长循环寿命及高的容量保持率,稳定的循环寿命;碳层与其包裹的Si粒子的孔道结构,也为锂离子的脱、嵌缩短了扩散距离与时间;包覆的碳层增强了Si的导电性;Si@C核壳结构也避免了电解液与Si直接接触,形成不稳定的SEI膜。
声明:
“以微硅粉为Si源制备石墨基Si@C负极材料的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)