本发明提供了一种废旧晶圆的再生方法,所述再生方法包括以下步骤:(1)挑选可再生不良晶圆,使用混合酸对所述不良晶圆进行腐蚀;(2)对步骤(1)腐蚀后的晶圆进行碱洗和水洗;(3)对步骤(2)水洗后的晶圆进行抛光处理,经最终清洗后得到再生晶圆;其中,所述晶圆的材料包括钽酸锂和/或铌酸锂,本发明采用先酸腐蚀、碱洗、抛光后再药液清洗的方法对废旧晶圆进行再生可以去除
芯片上的金属电路和一些光刻胶的残胶,同时避免晶圆表面的酸和残胶的残留,回收再生的晶圆可以实现直接应用,大大节约了生产成本。
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