本发明的复合基板是压电基板与支承基板介由含Ar的非晶层接合而成的复合基板,所述压电基板为钽酸锂或铌酸锂的单晶基板,所述支承基板为硅的单晶基板。非晶层从压电基板向着复合基板,具有第1层、第2层及第3层。其中,第1层比第2层及第3层含有更多的构成压电基板的元素(Ta等),第3层比第1层及第2层含有更多的构成支承基板的元素(Si),第2层比第1层及第3层含有更多的Ar。
声明:
“复合基板及其制法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)