声表面波器件中心频率的调整方法,其特征在于选用四硼酸锂单晶片作为制作声表面波器件的晶片材料,在设计及制作时使声表面波器件
芯片的中心频率比标准中心频率有正偏差,然后用水浸泡声表面波器件芯片,调整声表面波器件叉指条的周期长度,减小或消除所述正偏差。本发明方法比现有技术简单易行,无需昂贵的生产设备,而且对器件其他性能无损害。
声明:
“声表面波器件中心频率的调整方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)