本发明公开了半导体级二甲基镉的制备方法,在惰性气氛保护下,在反应器中加入无水二氯化镉和醚类溶剂,无水二氯化镉和醚类溶剂的摩尔比为1:3.5~5;低温条件下,向体系中缓慢滴加甲基锂正丁醚溶液,反应出二甲基镉;反应结束后进行常压蒸馏及精馏,得到高纯二甲基镉;高纯二甲基镉再经过滤器加压过滤得到半导体级的二甲基镉。通过一步法合成二甲基镉,二氯化镉和溶剂加入到反应瓶中,在低温下滴加甲基锂正丁醚溶液,通过精馏提纯二甲基镉,由过滤器去除颗粒,得到高纯半导体级二甲基镉,反应过程中不需要再分批加入任何原料,简化了工艺操作步骤,大大提高了反应过程中的安全性。
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