一种晶片具有含硅层、沉积在所述含硅层上的多晶金刚石层以及在所述含硅层的另一侧上的用于减小晶片弯曲的弯曲补偿层。一种制造接合结构的方法包括用于在一个衬底的表面上产生悬空键的活化过程,随后在低温下使所述表面与第二衬底进行接触接合。接合结构可包括彼此接触接合的两个衬底,一个衬底包括含硅层、多晶金刚石层、用于减小所述第一衬底的晶片弯曲的弯曲补偿层,并且另一个衬底包括氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂、砷化镓、磷化铟或除金刚石以外的另一合适材料。
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