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改进的集成光学装置

697   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 23:26:56
本发明公开了一种改进的集成光学装置(5a- 5g),该装置设有第一和第二装置(10a-10g;15a,15e),后者 彼此光耦合并以第一和第二不同的材料体系制成,第一或第二 装置(10a-10g;15a,15e)之一在第一与第二装置(10a-10g; 15a,15e)之间的耦合区处或其附近具有量子势阱混杂(QWI)区 (20a,20g)。第一材料体系可以是基于砷化镓(GaAs)或磷化铟 (InP)的III-V半导体,而第二材料体系可以是二氧化硅(SiO2)、硅(Si)、铌酸锂(LiNbO3)、聚合物,或玻璃。
声明:
“改进的集成光学装置” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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