本发明公开了一种改进的集成光学装置(5a- 5g),该装置设有第一和第二装置(10a-10g;15a,15e),后者 彼此光耦合并以第一和第二不同的材料体系制成,第一或第二 装置(10a-10g;15a,15e)之一在第一与第二装置(10a-10g; 15a,15e)之间的耦合区处或其附近具有量子势阱混杂(QWI)区 (20a,20g)。第一材料体系可以是基于砷化镓(GaAs)或磷化铟 (InP)的III-V半导体,而第二材料体系可以是二氧化硅(SiO2)、硅(Si)、铌酸锂(LiNbO3)、聚合物,或玻璃。
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