本发明公开了一种带电极的反向台面超薄晶片及其制备方法,从上而下包括上电极、目标晶片、下电极、隔离层和支撑衬底晶片;其中目标晶片的厚度为10~80μm,目标晶片的材料为钽酸锂、铌酸锂或石英;上电极和下电极均为厚度为5nm~1μm的金属膜,支撑衬底晶片的厚度为0.2~1mm,支撑衬底晶片的材料为硅、石英或玻璃,并且目标晶片和支撑衬底晶片的材料不同;本申请的带电极的反向台面超薄晶片,从上而下包括上电极、目标晶片、下电极、隔离层和支撑衬底晶片;采用隔离层将目标晶片和支撑衬底晶片连接,其中目标晶片的表面质量好,表面平整度高,因而与目标晶片连接的上电极和下电极的有效面积大,制备的谐振器的频率稳定性高。
声明:
“带电极的反向台面超薄晶片及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)