本发明公开了一种太赫兹辐射源及其制备方法,包含内嵌的周期极化铌酸锂芯层(4)和复合微带线结构,复合微带线结构自下向上包括硅基底(1)、下层金膜(2)、苯环丁烷(benzocyclobutene BCB)有机高分子材料包层(3)和两端侧壁金电极(5)及上层金电极(6)。本发明有益效果包括:(1)被束缚在微带线结构中的太赫兹波,降低了铌酸锂材料对太赫兹的吸收,从而实现毫瓦量级太赫兹辐射源,显著提高光整流产生的太赫兹辐射源输出功率;(2)复合微带线结构使得太赫兹波能够以低损耗系数在该复合结构中不断产生并传播;在端面实现更高的输出太赫兹能量,实际应用中更灵活;可进而发展成为集太赫兹源、波导、检测为一体的高集成度太赫兹有源器件。
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