一种非极性GaN薄膜及其生长方法,在金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统中,在铝酸锂(LiAlO2)衬底上,在N2保护下,升温到800-900℃,生长低温保护层,低温保护层反应室压力为150-500torr,三甲基镓(TMGa)流量为1-50sccm,对应于摩尔流量:4E-6mole/min-3E-4mole/min,然后降低压力至100-300torr,升温到1000-1100℃继续生长非掺杂氮化镓(U-GaN)层,TMGa流量为10-200sccm,对应于摩尔流量:4E-5mol/min-1E-3mole/min,然后再升温到1150-1200℃,生长高温U-GaN约100nm,然后再降温到1000-1100℃生长U-GaN。通过生长低温保护层,保护铝酸锂衬底不被高温破坏,短暂的高温U-GaN的目的是改善生长的GaN薄膜的表面平整度。
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