本发明提供了一种n型晶体硅太阳电池及其制备方法。所述n型晶体硅太阳电池的背场是通过n型晶体硅和n型晶体硅背面的低功函材料来实现的;低功函材料为低功函金属或低功函合金;低功函金属可以为镁、锗、锂、钕或钙等,低功函合金可以为镁钕合金、镁锗合金、镁锂合金、锗锂合金或钙镁锗锂合金等。将低功函金属或低功函合金制作在n型晶体硅的背面,可实现能带弯曲,形成“n‑n+”高低结,进而可驱赶空穴,增强电子的传输功能,使电池获得高的开路电压及短路电流,提高电池的效率。而且,制备过程简单,成本低,无需高温,无需后退火处理,还不会给硅片带来损伤,也不会对环境造成污染。
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