本实用新型提供一种用于锂电保护的开关器件,该开关器件包括:P+型衬底及P‑型外延层;N型阱区;两个P型阱区;两个栅极结构;共用的N‑型漂移区,形成于两个栅极结构之间;N型源区及P+型接触区;介质层,所述介质层中打开有第一接触窗口及第二接触窗口,所述第一区接触窗口内形成直至所述P+型衬底的沟槽;以及填充于所述沟槽及第二接触窗口内的电极材料。本实用新型采用共用漂移区的方式构建MOSFET器件,使得漂移区区域电阻可以大大降低,同时保证耐压不变。仅需通过一个沟槽电极便可将一个源区引到
芯片(chip)背面,封装时可与基底焊接,降低接触电阻,在极低的内阻要求下非常有效,且可大大节省了工艺成本以及减小器件体积。
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