本发明公开了一种锂离子电池用硅负极及其制备方法,所述硅负极,包括阵列化排布在基板上的硅材料,其特征在于:在所述硅材料的表面包覆有
石墨烯层。其制备方法包括下列步骤:采用化学气相沉积法或磁控溅射镀膜法在基板正反两面上形成硅薄膜;通过掩膜版进行各向同性腐蚀,形成阵列化排布的硅材料;通过化学气相沉积法形成包覆于硅材料表面的石墨烯层。本发明通过在硅阵列表面包覆石墨烯,既可以束缚硅的膨胀、提高导电性、避免电解液与硅直接接触、利用石墨烯与电解液形成的良好SEI膜,从而延长材料充放电循环寿命;本发明提高了首次效率、改善了循环性能、提高了倍率性能与最大化能量密度,给商业化应用硅系材料提供了非常好的方法。
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