本发明的目的在于提供一种不需要减压工序、多达数次的还原处理,并且通过新型的还原处理制造均质性高的体积电阻率为1×1010Ω·cm以上并小于1×1012Ω·cm的钽酸锂单晶基板的方法。本发明的特征在于,将体积电阻率为1×1012Ω·cm以上且为单畴结构的钽酸锂单晶基板埋入
碳酸锂粉末中,在常压下、惰性气体和还原性气体的混合气体氛围中,以350℃以上且居里温度以下的温度进行热处理。另外,在这种情况下,优选混合气体中的还原性气体的浓度为20.0%以下。
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