本发明涉及一种基于铌酸
锂薄膜波导的高耦合效率的非均匀光栅耦合器,属于集成光学领域和半导体领域,具体是一种基于LNOI平台的高耦合效率的非均匀分段光栅耦合器。该光栅耦合器包括:绝缘铌酸锂薄膜上的光子
芯片以及设置于其上方的光纤。绝缘铌酸锂薄膜上的光子芯片自上而下依次包括:波导耦合光栅、铌酸锂薄膜层、SiO2埋氧层、Au反射层以及LN衬底。本发明由于具有Au反射层,可以极大地减少光功率向衬底的泄露损失,提高光耦合效率;另外本发明具有非均匀的分段光栅结构,可以优化向上衍射光与光纤中的模场匹配,从而进一步提高光耦合效率。
声明:
“基于铌酸锂薄膜波导的高耦合效率的非均匀光栅耦合器” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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