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铌酸锂调制器的芯片布局结构

762   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 21:49:47
本实用新型涉及一种铌酸锂调制器的芯片布局结构,包括芯片,所述芯片包括基板、形成在基板上的行波电极和光波导结构,所述光波导结构采用折叠的铌酸锂薄膜,所述基板上设置有用于数据传输的高速接口、DC接口、光输入接口和光输出接口,其特征在于:所述基板呈多边形并且包括第一侧边、第二侧边、第三侧边和第四侧边,所述高速接口设置在基板的第一侧边上,所述DC接口设置在基板的第二侧边和/或第四侧边上,所述光输入接口和光输出接口则设置在基板的第三侧边上。与现有技术相比,本实用新型的优点在于:通过将高速接口设置在与DC和光学接口不同的一侧,使得高速连接不受DC和光学的干扰,且光学连接能够有足够的空间。
声明:
“铌酸锂调制器的芯片布局结构” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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