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具有模式选择结构的铌酸锂薄膜芯片

848   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 21:36:54
本发明公开一种具有模式选择结构的铌酸锂薄膜芯片,包括铌酸锂薄膜基体,铌酸锂薄膜基体上施划出四个区域,其中,第一区域用于成型耦合器,将输入光束分为两束输出光束后输出;第二区域用于成型光栅波导,接收输出光束并将其中的近TM0模式光束改变为近TM1模式光束;第三区域用于成型过滤功能波导,滤除光栅波导输出光束中的近TM1模式光束后得到单偏振光束;第四区域用于成型Y波导,对单偏振光束进行分束后由两个第四传输臂传输,每一第四传输臂中传输的光束经光电调制后输出。本发明提供的芯片结构能进一步缩小Y波导与耦合器连接结构的体积,实现光纤陀螺整体体积的进一步小型化,使光纤陀螺具有小体积、高集成度的优势。
声明:
“具有模式选择结构的铌酸锂薄膜芯片” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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